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IRFP27N60K Datenblatt (PDF) - International Rectifier

IRFP27N60K Datasheet PDF - International Rectifier
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Hersteller  IRF [International Rectifier]
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Bauteilbeschribung Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)typ.=180mohm, Id=27A)

IRFP27N60K Datasheet (PDF)

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Hersteller  IRF [International Rectifier]
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Bauteilbeschribung Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)typ.=180mohm, Id=27A)

IRFP27N60K Datenblatt (HTML) - International Rectifier


IRFP27N60K Produktdetails

HEXFET® Power MOSFET



Benefits

 Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement

 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness

 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current

 Enhanced Body Diode dv/dt Capability



Applications

 Hard Switching Primary or PFC Switch

 Switch Mode Power Supply (SMPS)

 Uninterruptible Power Supply

 High Speed Power Switching

 Motor Drive




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Über International Rectifier


International Gleichrichter (IR) war ein amerikanisches Unternehmen, das sich auf die Konstruktion und Herstellung von Halbleitern für Energieverwaltungen und Leistungskontrolle spezialisierte.
Die Firma wurde 1947 gegründet und hat seinen Hauptsitz in El Segundo, Kalifornien.
IR stellte eine breite Palette von Produkten zur Verfügung, darunter ICS -MOSFETs, IGBTs und andere Stromversorgungsprodukte.
Die Produkte des Unternehmens wurden in verschiedenen Anwendungen wie Computer, Telekommunikation und industrielle Automatisierung verwendet.
IR war bekannt für seine Expertise in Bezug auf die Energieverwaltung und -kontrolltechnologie und seine Fähigkeit, seinen Kunden qualitativ hochwertige und zuverlässige Produkte zu liefern.
Im Jahr 2014 wurde IR von Infineon Technologies, einem führenden Anbieter von Stromverwaltungs- und Kontrollprodukten und anderen Halbleiterlösungen, übernommen.
Die Marke International Gleichrichter ist nicht mehr in Gebrauch, aber ihre Technologie und Produkte sind weiterhin Teil des Portfolios von Infineon.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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