IRFP350 Datenblatt(PDF) - International Rectifier

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IRFP350 Datenblatt (PDF) - International Rectifier

IRFP350 Datasheet PDF - International Rectifier


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IRFP350 Produktdetails

DESCRIPTION
Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
The TO-247 package is preferred for commercial-industrial applications where higher power levels preclude the use of TO-220 devices.

• Dynamic dV/dt Rating
• Repetitive Avalanche Rated
• Isolated Central Mounting Hole
• Fast Switching
• Ease of Paralleling
• Simple Drive Requirements

Ähnliche Teilenummer - IRFP350

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Samsung semiconductor	IRFP350	215Kb / 5P	N-CHANNEL POWER MOSFETS
Intersil Corporation	IRFP350	57Kb / 7P	16A, 400V, 0.300 Ohm, N-Channel Power MOSFET July 1999
Vishay Siliconix	IRFP350	1Mb / 8P	Power MOSFET 28-Jul-08
Inchange Semiconductor ...	IRFP350	67Kb / 2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
Vishay Siliconix	IRFP350	1Mb / 9P	Power MOSFET 14-Mar-11

Ähnliche Beschreibung - IRFP350

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
International Rectifier	IRC730	223Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=1.0ohm, Id=5.5A)
	IRC740	221Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=0.55ohm, Id=10A)
	IRF630N	155Kb / 11P	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.30ohm, Id=9.3A)
	IRFD320	478Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=1.8ohm, Id=0.49A)
	IRFI720G	170Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=1.8ohm, Id=2.6A)
	IRFI740G	169Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=0.55ohm, Id=5.4A)
	IRFI740GLC	221Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=0.55ohm, Id=5.7A)
	IRFI9530G	174Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.30ohm, Id=-7.7A)
	IRFP350LC	333Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=0.30ohm, Id=16A)
	IRFPC60	162Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=0.40ohm, Id=16A)

Über International Rectifier

International Gleichrichter (IR) war ein amerikanisches Unternehmen, das sich auf die Konstruktion und Herstellung von Halbleitern für Energieverwaltungen und Leistungskontrolle spezialisierte.
Die Firma wurde 1947 gegründet und hat seinen Hauptsitz in El Segundo, Kalifornien.
IR stellte eine breite Palette von Produkten zur Verfügung, darunter ICS -MOSFETs, IGBTs und andere Stromversorgungsprodukte.
Die Produkte des Unternehmens wurden in verschiedenen Anwendungen wie Computer, Telekommunikation und industrielle Automatisierung verwendet.
IR war bekannt für seine Expertise in Bezug auf die Energieverwaltung und -kontrolltechnologie und seine Fähigkeit, seinen Kunden qualitativ hochwertige und zuverlässige Produkte zu liefern.
Im Jahr 2014 wurde IR von Infineon Technologies, einem führenden Anbieter von Stromverwaltungs- und Kontrollprodukten und anderen Halbleiterlösungen, übernommen.
Die Marke International Gleichrichter ist nicht mehr in Gebrauch, aber ihre Technologie und Produkte sind weiterhin Teil des Portfolios von Infineon.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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