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IRFR3711 Datenblatt (PDF) - International Rectifier
IRFR3711 Datasheet PDF - International Rectifier
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Hersteller  IRF [International Rectifier]
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Bauteilbeschribung Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=6.5mohm, Id=110A??

IRFR3711 Datasheet (PDF)

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Hersteller  IRF [International Rectifier]
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Bauteilbeschribung Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=6.5mohm, Id=110A??

IRFR3711 Datenblatt (HTML) - International Rectifier


IRFR3711 Produktdetails

Benefits
● Ultra-Low Gate Impedance
● Very Low RDS(on) at 4.5V VGS
● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current

Applications
● High Frequency Isolated DC-DC Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Industrial Use
● High Frequency Buck Converters for Server Processor Power Synchronous FET
● Optimized for Synchronous Buck Converters Including Capacitive Induced Turn-on Immunity




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Über International Rectifier

International Gleichrichter (IR) war ein amerikanisches Unternehmen, das sich auf die Konstruktion und Herstellung von Halbleitern für Energieverwaltungen und Leistungskontrolle spezialisierte.
Die Firma wurde 1947 gegründet und hat seinen Hauptsitz in El Segundo, Kalifornien.
IR stellte eine breite Palette von Produkten zur Verfügung, darunter ICS -MOSFETs, IGBTs und andere Stromversorgungsprodukte.
Die Produkte des Unternehmens wurden in verschiedenen Anwendungen wie Computer, Telekommunikation und industrielle Automatisierung verwendet.
IR war bekannt für seine Expertise in Bezug auf die Energieverwaltung und -kontrolltechnologie und seine Fähigkeit, seinen Kunden qualitativ hochwertige und zuverlässige Produkte zu liefern.
Im Jahr 2014 wurde IR von Infineon Technologies, einem führenden Anbieter von Stromverwaltungs- und Kontrollprodukten und anderen Halbleiterlösungen, übernommen.
Die Marke International Gleichrichter ist nicht mehr in Gebrauch, aber ihre Technologie und Produkte sind weiterhin Teil des Portfolios von Infineon.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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