IRFZ46 Datenblatt(PDF) - International Rectifier

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IRFZ46 Datenblatt (PDF) - International Rectifier

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IRFZ46 Produktdetails

Description
Advanced HEXFET®Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

• Advanced Process Technology
• Ultra Low On-Resistance
• Dynamic dv/dt Rating
• 175°C Operating Temperature
• Fast Switching
• Fully Avalanche Rated

Ähnliche Teilenummer - IRFZ46

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
International Rectifier	IRFZ46	165Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=50V, Rds(on)=0.024ohm, Id=50*A)
New Jersey Semi-Conduct...	IRFZ46	110Kb / 2P	HEXFET Power MOSFET
Vishay Siliconix	IRFZ46	963Kb / 8P	Power MOSFET 02-Feb-09
International Rectifier	IRFZ46L	360Kb / 10P	Advanced Process Technology
International Rectifier	IRFZ46N	190Kb / 9P	HEXFET짰 Power MOSFET(VDSS = 55V,RDS(on) = 16.5m廓,ID = 53A)

Ähnliche Beschreibung - IRFZ46

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
International Rectifier	IRF3205	92Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=8.0mohm, Id=110A??
	IRF3205S	160Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=8.0mohm, Id=110A??
	IRF9Z34N	108Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.10ohm, Id=-19A)
	IRF9Z34NS	162Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.10ohm, Id=-19A)
	IRFBA1405P	238Kb / 9P	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=5.0mohm, Id=174A??
	IRFP044N	105Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.020ohm, Id=53A)
	IRFR2605	345Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.075ohm, Id=19A)
	IRFZ24N	123Kb / 8P	Power MOSFET (Vdss=55V, Rds(on)=0.07ohm, Id=17A)
	IRFZ44VS	145Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=16.5mohm, Id=55A)
	IRFZ46N	190Kb / 9P	HEXFET짰 Power MOSFET(VDSS = 55V,RDS(on) = 16.5m廓,ID = 53A)

Über International Rectifier

International Gleichrichter (IR) war ein amerikanisches Unternehmen, das sich auf die Konstruktion und Herstellung von Halbleitern für Energieverwaltungen und Leistungskontrolle spezialisierte.
Die Firma wurde 1947 gegründet und hat seinen Hauptsitz in El Segundo, Kalifornien.
IR stellte eine breite Palette von Produkten zur Verfügung, darunter ICS -MOSFETs, IGBTs und andere Stromversorgungsprodukte.
Die Produkte des Unternehmens wurden in verschiedenen Anwendungen wie Computer, Telekommunikation und industrielle Automatisierung verwendet.
IR war bekannt für seine Expertise in Bezug auf die Energieverwaltung und -kontrolltechnologie und seine Fähigkeit, seinen Kunden qualitativ hochwertige und zuverlässige Produkte zu liefern.
Im Jahr 2014 wurde IR von Infineon Technologies, einem führenden Anbieter von Stromverwaltungs- und Kontrollprodukten und anderen Halbleiterlösungen, übernommen.
Die Marke International Gleichrichter ist nicht mehr in Gebrauch, aber ihre Technologie und Produkte sind weiterhin Teil des Portfolios von Infineon.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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