Datenblatt-Suchmaschine für elektronische Bauteile
  German  ▼
ALLDATASHEETDE.COM

X  

IRG4BC30UD Datenblatt (PDF) - International Rectifier

IRG4BC30UD Datasheet PDF - International Rectifier
Teilenummer IRG4BC30UD
Download  IRG4BC30UD Download
Filegröße   234.03 Kbytes
Page   10 Pages
Hersteller  IRF [International Rectifier]
Direct Link  http://www.irf.com
Logo IRF - International Rectifier
Bauteilbeschribung INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.95V, @Vge=15V, Ic=12A)

IRG4BC30UD Datasheet (PDF)

Go To PDF Page Download Datenblatt
IRG4BC30UD Datasheet PDF - International Rectifier

Teilenummer IRG4BC30UD
Download  IRG4BC30UD Click to download

Filegröße   234.03 Kbytes
Page   10 Pages
Hersteller  IRF [International Rectifier]
Direct Link  http://www.irf.com
Logo IRF - International Rectifier
Bauteilbeschribung INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.95V, @Vge=15V, Ic=12A)

IRG4BC30UD Datenblatt (HTML) - International Rectifier


IRG4BC30UD Produktdetails

Features
• UltraFast: Optimized for high operating
   frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200
   kHz in resonant mode
• Generation 4 IGBT design provides tighter
   parameter distribution and higher efficiency than
   Generation 3
• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast,
   ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in
   bridge configurations
• Industry standard TO-220AB package

Benefits
• Generation -4 IGBTs offer highest efficiencies
   available
• IGBTs optimized for specific application conditions
• HEXFRED diodes optimized for performance with
   IGBTs . Minimized recovery characteristics require
   less/no snubbing
• Designed to be a "drop-in" replacement for equivalent
   industry-standard Generation 3 IR IGBTs




Ähnliche Teilenummer - IRG4BC30UD

HerstellerTeilenummerDatenblattBauteilbeschribung
logo
International Rectifier
IRG4BC30UD IRF-IRG4BC30UD Datasheet
98Kb / 35P
Fit Rate / Equivalent Device Hours
IRG4BC30UDPBF IRF-IRG4BC30UDPBF Datasheet
279Kb / 11P
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE UltraFast CoPack IGBT
IRG4BC30UDPBF IRF-IRG4BC30UDPBF Datasheet
386Kb / 10P
ULTRA FAST COPACK IGBT
IRG4BC30UDPBF IRF-IRG4BC30UDPBF_15 Datasheet
386Kb / 10P
ULTRA FAST COPACK IGBT
More results


Ähnliche Beschreibung - IRG4BC30UD

HerstellerTeilenummerDatenblattBauteilbeschribung
logo
International Rectifier
IRG4BC10UD IRF-IRG4BC10UD Datasheet
184Kb / 10P
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.15V, @Vge=15V, Ic=5.0A)
IRG4BC15UD-S IRF-IRG4BC15UD-S Datasheet
210Kb / 12P
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.02V, @Vge=15V, Ic=7.8A)
IRG4BC20FD-S IRF-IRG4BC20FD-S Datasheet
222Kb / 10P
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A)
IRG4BC20UDS IRF-IRG4BC20UDS Datasheet
235Kb / 11P
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.85V, @Vge=15V, Ic=6.5A)
IRG4BC30U IRF-IRG4BC30U Datasheet
167Kb / 8P
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.95V, @Vge=15V, Ic=12A)
IRG4BC30US IRF-IRG4BC30US Datasheet
308Kb / 8P
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT(Vces=600V, Vce(on)typ. = 1.95V, @Vge=15V, Ic=12A)
IRG4PC30U IRF-IRG4PC30U Datasheet
145Kb / 8P
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.95V, @Vge=15V, Ic=12A)
IRG4PC30UD IRF-IRG4PC30UD Datasheet
211Kb / 10P
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.95V, @Vge=15V, Ic=12A)
IRGBC30UD2 IRF-IRGBC30UD2 Datasheet
413Kb / 8P
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=12A)
IRGPC30UD2 IRF-IRGPC30UD2 Datasheet
419Kb / 8P
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=12A)
More results




Über International Rectifier


International Gleichrichter (IR) war ein amerikanisches Unternehmen, das sich auf die Konstruktion und Herstellung von Halbleitern für Energieverwaltungen und Leistungskontrolle spezialisierte.
Die Firma wurde 1947 gegründet und hat seinen Hauptsitz in El Segundo, Kalifornien.
IR stellte eine breite Palette von Produkten zur Verfügung, darunter ICS -MOSFETs, IGBTs und andere Stromversorgungsprodukte.
Die Produkte des Unternehmens wurden in verschiedenen Anwendungen wie Computer, Telekommunikation und industrielle Automatisierung verwendet.
IR war bekannt für seine Expertise in Bezug auf die Energieverwaltung und -kontrolltechnologie und seine Fähigkeit, seinen Kunden qualitativ hochwertige und zuverlässige Produkte zu liefern.
Im Jahr 2014 wurde IR von Infineon Technologies, einem führenden Anbieter von Stromverwaltungs- und Kontrollprodukten und anderen Halbleiterlösungen, übernommen.
Die Marke International Gleichrichter ist nicht mehr in Gebrauch, aber ihre Technologie und Produkte sind weiterhin Teil des Portfolios von Infineon.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




Link URL



War ALLDATASHEET hilfreich?  [ DONATE ] 

Über Alldatasheet   |   Werbung   |   Kontakt   |   Privatsphäre und Datenschutz   |   Link zum Datenblatt    |   Linktausch   |   Hersteller
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com