Datenblatt-Suchmaschine für elektronische Bauteile
  German  ▼
ALLDATASHEETDE.COM

X  

IRG4PC30KD Datenblatt (PDF) - International Rectifier

IRG4PC30KD Datasheet PDF - International Rectifier
Teilenummer IRG4PC30KD
Download  IRG4PC30KD Download
Filegröße   178.84 Kbytes
Page   10 Pages
Hersteller  IRF [International Rectifier]
Direct Link  http://www.irf.com
Logo IRF - International Rectifier
Bauteilbeschribung INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)

IRG4PC30KD Datasheet (PDF)

Go To PDF Page Download Datenblatt
IRG4PC30KD Datasheet PDF - International Rectifier

Teilenummer IRG4PC30KD
Download  IRG4PC30KD Click to download

Filegröße   178.84 Kbytes
Page   10 Pages
Hersteller  IRF [International Rectifier]
Direct Link  http://www.irf.com
Logo IRF - International Rectifier
Bauteilbeschribung INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)

IRG4PC30KD Datenblatt (HTML) - International Rectifier


IRG4PC30KD Produktdetails

Short Circuit Rated UltraFast IGBT



Features

• High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10µs, @360V VCE (start), TJ = 125°C, VGE = 15V

• Combines low conduction losses with high switching speed

• Tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations

• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultrasoft recovery antiparallel diodes



Benefits

• Latest generation 4 IGBTs offer highest power density motor controls possible

• HEXFREDTM diodes optimized for performance with IGBTs.

   Minimized recovery characteristics reduce noise, EMI and switching losses

• This part replaces the IRGBC30KD2 and IRGBC30MD2 products

• For hints see design tip 97003



 




Ähnliche Teilenummer - IRG4PC30KD

HerstellerTeilenummerDatenblattBauteilbeschribung
logo
International Rectifier
IRG4PC30KDPBF IRF-IRG4PC30KDPBF Datasheet
345Kb / 11P
INSULATED GATE BIPOALR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4PC30KDPBF IRF-IRG4PC30KDPBF Datasheet
346Kb / 11P
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4PC30KDPBF IRF-IRG4PC30KDPBF_15 Datasheet
346Kb / 11P
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
More results


Ähnliche Beschreibung - IRG4PC30KD

HerstellerTeilenummerDatenblattBauteilbeschribung
logo
International Rectifier
IRG4BC10UD IRF-IRG4BC10UD Datasheet
184Kb / 10P
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.15V, @Vge=15V, Ic=5.0A)
IRG4BC15UD-S IRF-IRG4BC15UD-S Datasheet
210Kb / 12P
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.02V, @Vge=15V, Ic=7.8A)
IRG4BC20FD-S IRF-IRG4BC20FD-S Datasheet
222Kb / 10P
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A)
IRG4BC30K IRF-IRG4BC30K Datasheet
137Kb / 8P
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)
IRG4BC30KD IRF-IRG4BC30KD Datasheet
196Kb / 10P
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)
IRG4BC30KDS IRF-IRG4BC30KDS Datasheet
225Kb / 10P
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)
IRG4BC30KS IRF-IRG4BC30KS Datasheet
161Kb / 8P
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)
IRG4PC30K IRF-IRG4PC30K Datasheet
121Kb / 8P
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)
IRGPC30MD2 IRF-IRGPC30MD2 Datasheet
421Kb / 8P
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=16A)
IRG4BC30KS IRF-IRG4BC30KS_04 Datasheet
263Kb / 9P
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)
More results




Über International Rectifier


International Gleichrichter (IR) war ein amerikanisches Unternehmen, das sich auf die Konstruktion und Herstellung von Halbleitern für Energieverwaltungen und Leistungskontrolle spezialisierte.
Die Firma wurde 1947 gegründet und hat seinen Hauptsitz in El Segundo, Kalifornien.
IR stellte eine breite Palette von Produkten zur Verfügung, darunter ICS -MOSFETs, IGBTs und andere Stromversorgungsprodukte.
Die Produkte des Unternehmens wurden in verschiedenen Anwendungen wie Computer, Telekommunikation und industrielle Automatisierung verwendet.
IR war bekannt für seine Expertise in Bezug auf die Energieverwaltung und -kontrolltechnologie und seine Fähigkeit, seinen Kunden qualitativ hochwertige und zuverlässige Produkte zu liefern.
Im Jahr 2014 wurde IR von Infineon Technologies, einem führenden Anbieter von Stromverwaltungs- und Kontrollprodukten und anderen Halbleiterlösungen, übernommen.
Die Marke International Gleichrichter ist nicht mehr in Gebrauch, aber ihre Technologie und Produkte sind weiterhin Teil des Portfolios von Infineon.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




Link URL



War ALLDATASHEET hilfreich?  [ DONATE ] 

Über Alldatasheet   |   Werbung   |   Kontakt   |   Privatsphäre und Datenschutz   |   Link zum Datenblatt    |   Linktausch   |   Hersteller
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com