IRGP430U Datenblatt(PDF) - International Rectifier

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IRGP430U Datenblatt (PDF) - International Rectifier

IRGP430U Datasheet PDF - International Rectifier


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IRGP430U Produktdetails

Description
Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) from International Rectifier have higher usable current densities than comparable bipolar transistors, while at the same time having simpler gate-drive requirements of the familiar power MOSFET. They provide substantial benefits to a host of high-voltage, high-current applications.

Features
• Switching-loss rating includes all "tail" losses
• Optimized for high operating frequency (over
5kHz) See Fig. 1 for Current vs. Frequency curve

Ähnliche Teilenummer - IRGP430U

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
International Rectifier	IRGP430U	98Kb / 35P	Fit Rate / Equivalent Device Hours
International Rectifier	IRGP430UD2	426Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=500V, @Vge=15V, Ic=15A)

Ähnliche Beschreibung - IRGP430U

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
International Rectifier	IRGB420U	253Kb / 6P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=500V, @Vge=15V, Ic=7.5A)
	IRGB430U	253Kb / 6P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=500V, @Vge=15V, Ic=15A)
	IRGB430UD2	425Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=500V, @Vge=15V, Ic=15A)
	IRGB440U	252Kb / 6P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=500V, @Vge=15V, Ic=22A)
	IRGBC20S	274Kb / 7P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=10A)
	IRGBC30S	252Kb / 6P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=18A)
	IRGP420U	258Kb / 6P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=500V, @Vge=15V, Ic=7.5A)
	IRGP430UD2	426Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=500V, @Vge=15V, Ic=15A)
	IRGP440U	254Kb / 6P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=500V, @Vge=15V, Ic=22A)
	IRGP450U	260Kb / 6P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=500V, @Vge=15V, Ic=33A)

Über International Rectifier

International Gleichrichter (IR) war ein amerikanisches Unternehmen, das sich auf die Konstruktion und Herstellung von Halbleitern für Energieverwaltungen und Leistungskontrolle spezialisierte.
Die Firma wurde 1947 gegründet und hat seinen Hauptsitz in El Segundo, Kalifornien.
IR stellte eine breite Palette von Produkten zur Verfügung, darunter ICS -MOSFETs, IGBTs und andere Stromversorgungsprodukte.
Die Produkte des Unternehmens wurden in verschiedenen Anwendungen wie Computer, Telekommunikation und industrielle Automatisierung verwendet.
IR war bekannt für seine Expertise in Bezug auf die Energieverwaltung und -kontrolltechnologie und seine Fähigkeit, seinen Kunden qualitativ hochwertige und zuverlässige Produkte zu liefern.
Im Jahr 2014 wurde IR von Infineon Technologies, einem führenden Anbieter von Stromverwaltungs- und Kontrollprodukten und anderen Halbleiterlösungen, übernommen.
Die Marke International Gleichrichter ist nicht mehr in Gebrauch, aber ihre Technologie und Produkte sind weiterhin Teil des Portfolios von Infineon.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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