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IRGPC50F Datenblatt (PDF) - International Rectifier
IRGPC50F Datasheet PDF - International Rectifier
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Hersteller  IRF [International Rectifier]
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Bauteilbeschribung INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=39A)

IRGPC50F Datasheet (PDF)

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IRGPC50F Datenblatt (HTML) - International Rectifier


IRGPC50F Produktdetails

Description
Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) from International Rectifier have higher usable current densities than comparable bipolar transistors, while at
the same time having simpler gate-drive requirements of the familiar power
MOSFET. They provide substantial benefits to a host of high-voltage, high-current applications.

Features
• Switching-loss rating includes all "tail" losses
• Optimized for medium operating frequency (1 to
   10kHz) See Fig. 1 for Current vs. Frequency curve




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Über International Rectifier

International Gleichrichter (IR) war ein amerikanisches Unternehmen, das sich auf die Konstruktion und Herstellung von Halbleitern für Energieverwaltungen und Leistungskontrolle spezialisierte.
Die Firma wurde 1947 gegründet und hat seinen Hauptsitz in El Segundo, Kalifornien.
IR stellte eine breite Palette von Produkten zur Verfügung, darunter ICS -MOSFETs, IGBTs und andere Stromversorgungsprodukte.
Die Produkte des Unternehmens wurden in verschiedenen Anwendungen wie Computer, Telekommunikation und industrielle Automatisierung verwendet.
IR war bekannt für seine Expertise in Bezug auf die Energieverwaltung und -kontrolltechnologie und seine Fähigkeit, seinen Kunden qualitativ hochwertige und zuverlässige Produkte zu liefern.
Im Jahr 2014 wurde IR von Infineon Technologies, einem führenden Anbieter von Stromverwaltungs- und Kontrollprodukten und anderen Halbleiterlösungen, übernommen.
Die Marke International Gleichrichter ist nicht mehr in Gebrauch, aber ihre Technologie und Produkte sind weiterhin Teil des Portfolios von Infineon.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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