IRGPH30S Datenblatt(PDF) - International Rectifier

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IRGPH30S Datenblatt (PDF) - International Rectifier

IRGPH30S Datasheet PDF - International Rectifier


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Hersteller	IRF [International Rectifier]

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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=13A)

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IRGPH30S Datenblatt (HTML) - International Rectifier

IRGPH30S Datasheet HTML 1Page - International Rectifier

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IRGPH30S Produktdetails

Description
Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) from International Rectifier have higher usable current densities than comparable bipolar transistors, while at the same time having simpler gate-drive requirements of the familiar power MOSFET. They provide substantial benefits to a host of high-voltage, high-current applications.

Features
• Switching-loss rating includes all "tail" losses
• Optimized for line frequency operation (to 400Hz)

Ähnliche Teilenummer - IRGPH30S

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
International Rectifier	IRGPH30S	98Kb / 35P	Fit Rate / Equivalent Device Hours

Ähnliche Beschreibung - IRGPH30S

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
International Rectifier	IRGB440U	252Kb / 6P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=500V, @Vge=15V, Ic=22A)
	IRGBC20S	274Kb / 7P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=10A)
	IRGPH20M	240Kb / 6P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=4.5A)
	IRGPH20S	240Kb / 6P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=6.6A)
	IRGPH40F	255Kb / 6P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=17A)
	IRGPH40M	84Kb / 2P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=18A)
	IRGPH40S	82Kb / 2P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=20A)
	IRGPH50F	267Kb / 6P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=25A)
	IRGPH50M	255Kb / 6P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=23A)
	IRGPH50S	96Kb / 2P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=33A)

Über International Rectifier

International Gleichrichter (IR) war ein amerikanisches Unternehmen, das sich auf die Konstruktion und Herstellung von Halbleitern für Energieverwaltungen und Leistungskontrolle spezialisierte.
Die Firma wurde 1947 gegründet und hat seinen Hauptsitz in El Segundo, Kalifornien.
IR stellte eine breite Palette von Produkten zur Verfügung, darunter ICS -MOSFETs, IGBTs und andere Stromversorgungsprodukte.
Die Produkte des Unternehmens wurden in verschiedenen Anwendungen wie Computer, Telekommunikation und industrielle Automatisierung verwendet.
IR war bekannt für seine Expertise in Bezug auf die Energieverwaltung und -kontrolltechnologie und seine Fähigkeit, seinen Kunden qualitativ hochwertige und zuverlässige Produkte zu liefern.
Im Jahr 2014 wurde IR von Infineon Technologies, einem führenden Anbieter von Stromverwaltungs- und Kontrollprodukten und anderen Halbleiterlösungen, übernommen.
Die Marke International Gleichrichter ist nicht mehr in Gebrauch, aber ihre Technologie und Produkte sind weiterhin Teil des Portfolios von Infineon.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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