VB30200C Datenblatt(PDF) - Vishay Siliconix

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VB30200C Datenblatt (PDF) - Vishay Siliconix

VB30200C Datasheet PDF - Vishay Siliconix


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Hersteller	VISHAY [Vishay Siliconix]

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Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.526 V at IF = 5A

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Bauteilbeschribung	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.526 V at IF = 5A

VB30200C Datenblatt (HTML) - Vishay Siliconix

VB30200C Produktdetails

• Trench MOS Schottky technology
• Low forward voltage drop, low power losses
• High efficiency operation
• Low thermal resistance
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum
peak of 245 °C (for TO-263AB package)
• Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per
JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB and TO-262AA
package)

Ähnliche Teilenummer - VB30200C

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Vishay Siliconix	VB30200C	158Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.526 V at IF = 5 A 31-Jul-08
	VB30200C	160Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 24-Jun-09
	VB30200C	155Kb / 5P	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 17-Aug-15
	VB30200C	216Kb / 6P	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.526 V at IF = 5A 19-Jun-2018
Inchange Semiconductor ...	VB30200C	314Kb / 2P	Schotty Barrier Diode

Ähnliche Beschreibung - VB30200C

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Vishay Siliconix	V30200C	158Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.526 V at IF = 5 A 31-Jul-08
	V40100G	167Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.42 V at IF = 5 A 19-May-08
	V40100PG	106Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.420 V at IF = 5 A 26-May-08
	V50100P	103Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.375 V at IF = 5 A 26-May-08
	V60200PG	104Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.52 V at IF = 5 A 14-Oct-08
	VF20100R	83Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A 17-Aug-15
	V30100PW-M3	87Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.58 V at IF = 8 A 20-Dec-13
	VT60L45PW	96Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.24 V at IF = 5 A 08-Jan-14
	V30M120C	144Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.52 V at IF = 5 A 17-Nov-16
	VBT1060C-M3	89Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 2.5 A 14-May-13

Über Vishay Siliconix

Vishay Siliconix ist eine Tochtergesellschaft von Vishay Intertechnology, einem globalen Hersteller passiver elektronischer Komponenten.
Vishay Siliconix ist spezialisiert auf das Design, die Herstellung und Vermarktung von Energie -MOSFETs, IGBTs und anderen Power -Halbleitern.
Das Unternehmen wurde 1962 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Santa Clara, Kalifornien.
Vishay Siliconix bietet Power Solutions für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter erneuerbare Energiesysteme, Industriegeräte, Computer und Telekommunikation sowie Automobilelektronik.
Die Produkte des Unternehmens sind für hohe Effizienz, geringem Stromverbrauch und hohe Zuverlässigkeit ausgelegt und werden in hochmodernen Einrichtungen mit fortschrittlichen Herstellungsprozessen hergestellt.
Mit dem Fokus auf Innovation und Kundenzufriedenheit setzt sich Vishay Siliconix dafür ein, den Kunden die besten Stromverwaltungslösungen für ihre Bedürfnisse zu bieten.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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