VB20120SG Datenblatt(PDF) - Vishay Siliconix

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VB20120SG Datenblatt (PDF) - Vishay Siliconix

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High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A

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VB20120SG Datenblatt (HTML) - Vishay Siliconix

VB20120SG Produktdetails

• Trench MOS Schottky technology
• Low forward voltage drop, low power losses
• High efficiency operation
• Solder bath temperature 275 °C max. 10 s,
per JESD 22-B106
• AEC-Q101 qualified

Ähnliche Teilenummer - VB20120SG

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Vishay Siliconix	VB20120SG	166Kb / 5P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A 19-May-08
	VB20120SG	160Kb / 5P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 24-Jun-09
	VB20120SG-E3	161Kb / 6P	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 13-Dec-16
	VB20120SG-E3-4W	160Kb / 5P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 24-Jun-09
	VB20120SG-E3-8W	160Kb / 5P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 24-Jun-09

Ähnliche Beschreibung - VB20120SG

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Vishay Siliconix	V20100SG	160Kb / 5P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A 19-Oct-07
	V10150S	166Kb / 5P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A 19-May-08
	V20100R	151Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A 19-May-08
	V20120SG	166Kb / 5P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A 19-May-08
	V30120S	165Kb / 5P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A 19-May-08
	VF20100R	83Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A 17-Aug-15
	V10150S	156Kb / 5P	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A 13-Aug-13
	VB20120SG-M3	88Kb / 4P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A 14-May-13
	VB20120C-M3	89Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A 14-May-13

Über Vishay Siliconix

Vishay Siliconix ist eine Tochtergesellschaft von Vishay Intertechnology, einem globalen Hersteller passiver elektronischer Komponenten.
Vishay Siliconix ist spezialisiert auf das Design, die Herstellung und Vermarktung von Energie -MOSFETs, IGBTs und anderen Power -Halbleitern.
Das Unternehmen wurde 1962 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Santa Clara, Kalifornien.
Vishay Siliconix bietet Power Solutions für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter erneuerbare Energiesysteme, Industriegeräte, Computer und Telekommunikation sowie Automobilelektronik.
Die Produkte des Unternehmens sind für hohe Effizienz, geringem Stromverbrauch und hohe Zuverlässigkeit ausgelegt und werden in hochmodernen Einrichtungen mit fortschrittlichen Herstellungsprozessen hergestellt.
Mit dem Fokus auf Innovation und Kundenzufriedenheit setzt sich Vishay Siliconix dafür ein, den Kunden die besten Stromverwaltungslösungen für ihre Bedürfnisse zu bieten.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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