VI40100C Datenblatt(PDF) - Vishay Siliconix

Datenblatt-Suchmaschine für elektronische Bauteile

ALLDATASHEETDE.COM

X

VI40100C Datenblatt (PDF) - Vishay Siliconix

VI40100C Datasheet PDF - Vishay Siliconix


Teilenummer	VI40100C

Download	VI40100C Download

Filegröße	138.83 Kbytes

Page	5 Pages

Hersteller	VISHAY [Vishay Siliconix]

Direct Link	http://www.vishay.com

Logo

Bauteilbeschribung

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.38 V at IF = 5 A

VI40100C Datasheet (PDF)

Go To PDF Page

Download Datenblatt

VI40100C Datasheet PDF - Vishay Siliconix


Teilenummer	VI40100C

Download	VI40100C Click to download

Filegröße	138.83 Kbytes

Page	5 Pages

Hersteller	VISHAY [Vishay Siliconix]

Direct Link	http://www.vishay.com

Logo

Bauteilbeschribung	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.38 V at IF = 5 A

VI40100C Datenblatt (HTML) - Vishay Siliconix

VI40100C Produktdetails

• Trench MOS Schottky technology
• Low forward voltage drop, low power losses
• High efficiency operation
• Low thermal resistance
• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106
• AEC-Q101 qualified

Ähnliche Teilenummer - VI40100C

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Vishay Siliconix	VI40100C	167Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.38 V at IF = 5 A 26-May-08
	VI40100C	140Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 23-Mar-11
	VI40100C	131Kb / 5P	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 16-Aug-13
	VI40100C-E3	160Kb / 6P	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 14-Nov-14
	VI40100C-E3	155Kb / 5P	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 14-Nov-14

Ähnliche Beschreibung - VI40100C

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Vishay Siliconix	V30200C	158Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.526 V at IF = 5 A 31-Jul-08
	V40100C	167Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.38 V at IF = 5 A 26-May-08
	V40100G	167Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.42 V at IF = 5 A 19-May-08
	V40100PG	106Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.420 V at IF = 5 A 26-May-08
	V50100P	103Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.375 V at IF = 5 A 26-May-08
	V60200PG	104Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.52 V at IF = 5 A 14-Oct-08
	VF20100R	83Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A 17-Aug-15
	VT60L45PW	96Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.24 V at IF = 5 A 08-Jan-14
	VT3060C-E3	157Kb / 6P	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.38 V at IF = 5 A 15-Dec-16
	VB40100C-M3	91Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.38 V at IF = 5 A 03-Jan-17

Über Vishay Siliconix

Vishay Siliconix ist eine Tochtergesellschaft von Vishay Intertechnology, einem globalen Hersteller passiver elektronischer Komponenten.
Vishay Siliconix ist spezialisiert auf das Design, die Herstellung und Vermarktung von Energie -MOSFETs, IGBTs und anderen Power -Halbleitern.
Das Unternehmen wurde 1962 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Santa Clara, Kalifornien.
Vishay Siliconix bietet Power Solutions für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter erneuerbare Energiesysteme, Industriegeräte, Computer und Telekommunikation sowie Automobilelektronik.
Die Produkte des Unternehmens sind für hohe Effizienz, geringem Stromverbrauch und hohe Zuverlässigkeit ausgelegt und werden in hochmodernen Einrichtungen mit fortschrittlichen Herstellungsprozessen hergestellt.
Mit dem Fokus auf Innovation und Kundenzufriedenheit setzt sich Vishay Siliconix dafür ein, den Kunden die besten Stromverwaltungslösungen für ihre Bedürfnisse zu bieten.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

Link URL

War ALLDATASHEET hilfreich? [ DONATE ]

Über Alldatasheet | Werbung | Kontakt | Privatsphäre und Datenschutz | Link zum Datenblatt | Linktausch | Hersteller
All Rights Reserved©Alldatasheet.com

Mirror Sites English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz

Family Site : ic2ic.com | icmetro.com