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NB3W1900L Datenblatt (PDF) - ON Semiconductor
NB3W1900L Datasheet PDF - ON Semiconductor
Teilenummer NB3W1900L
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Hersteller  ONSEMI [ON Semiconductor]
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Logo ONSEMI - ON Semiconductor
Bauteilbeschribung 3.3 V 100/133 MHz Differential 1:19 HCSL-Compatible Push?륯ull

NB3W1900L Datasheet (PDF)

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NB3W1900L Datasheet PDF - ON Semiconductor

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Hersteller  ONSEMI [ON Semiconductor]
Direct Link  http://www.onsemi.com
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Bauteilbeschribung 3.3 V 100/133 MHz Differential 1:19 HCSL-Compatible Push?륯ull

NB3W1900L Datenblatt (HTML) - ON Semiconductor




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NB3W1900L ONSEMI-NB3W1900L Datasheet
185Kb / 20P		 Differential 1:19 HCSL-Compatible Push?륯ull Clock ZDB/Fanout Buffer
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181Kb / 20P		 3.3 V 100/133 MHz Differential 1:19 HCSL-Compatible Push?륯ull Clock ZDB/Fanout Buffer
July, 2016 ??Rev. 1
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185Kb / 20P		 Differential 1:19 HCSL-Compatible Push?륯ull Clock ZDB/Fanout Buffer
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181Kb / 20P		 3.3 V 100/133 MHz Differential 1:19 HCSL-Compatible Push?륯ull Clock ZDB/Fanout Buffer
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Über ON Semiconductor

ON Semiconductor befindet sich ein börsennotiertes Unternehmen, das eine breite Palette von Halbleiterprodukten für eine Vielzahl von Anwendungen entwirft, entwickelt und herstellt, darunter Automobil-, Computer-, Konsumgüter-, Industrie- und Kommunikationsmärkte.
Das Unternehmen wurde 1999 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Phoenix, Arizona.
Über Semiconductor bietet unter anderem ein breites Portfolio an analogen und diskreten Halbleitern, einschließlich LeistungsmOSFETs, Dioden, Gleichrichter, Spannungsregulatoren.
Die Produkte des Unternehmens sind energieeffizient, zuverlässig und kostengünstig und werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet, darunter tragbare Elektronik, industrielle Automatisierungssysteme, erneuerbare Energiesysteme und Automobilelektronik.
Semiconductor engagiert sich für Innovation und Kundenzufriedenheit und setzt sich dafür ein, die besten Halbleiterlösungen für die Bedürfnisse unserer Kunden zu bieten.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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