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HUM2010 Datenblatt (PDF) - Microsemi Corporation

HUM2010 Datasheet PDF - Microsemi Corporation
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Bauteilbeschribung PIN DIODE HIGH POWER STUD

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Hersteller  MICROSEMI [Microsemi Corporation]
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Bauteilbeschribung PIN DIODE HIGH POWER STUD

HUM2010 Datenblatt (HTML) - Microsemi Corporation


HUM2010 Produktdetails

DESCRIPTION
With high isolation, low loss, and low distortion characteristics,
this Microsemi Power PIN diode is perfect for the high power
switching applications where size and power handling capability
are critical.

KEY FEATURES
◾ High Power Stud Mount Package.
◾ High Zero Bias Impedance
◾ Very Low Inductance and Capacitance.
◾ No Internal Lead Straps.
◾ Small Mechanical Outline.
◾ RoHS compliant packaging Available1

APPLICATIONS/BENEFITS
◾ MRI Applications.
◾ High Power Antenna Switching.




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Über Microsemi Corporation


Die Microsemi Corporation war ein amerikanisches Unternehmen, das sich auf die Konstruktion und Herstellung von Halbleiter- und Systemlösungen spezialisierte.
Das Unternehmen wurde 1960 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Aliso Viejo, Kalifornien.
Microsemi bot eine breite Palette von Produkten, darunter analoge und gemischte integrierte Schaltkreise, feldprogrammierbare Gate-Arrays (FPGAs), Stromverwaltungs- und Steuerungsprodukte sowie andere Halbleiterlösungen.
Die Produkte des Unternehmens wurden in verschiedenen Anwendungen wie Verteidigung und Sicherheit, Luft- und Raumfahrt und Luftfahrt, Industrie und Kommunikation verwendet.
Microsemi war bekannt für sein Fachwissen in der Halbleitertechnologie und seine Fähigkeit, seinen Kunden qualitativ hochwertige und zuverlässige Produkte zu liefern.
Im Jahr 2018 wurde Microsemi von Microchip Technology, einem führenden Anbieter von Mikrocontroller-, Mischsignal-, Analog- und Sicherheitsprodukten, übernommen.
Die Marke Microsemi ist nicht mehr verwendet, aber ihre Technologie und Produkte sind weiterhin Teil des Portfolios von Microchip.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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