MM118-XX Datenblatt(PDF) - Microsemi Corporation

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MM118-XX Datenblatt (PDF) - Microsemi Corporation

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3 PHASE N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR IGBT BRIDGE

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MM118-XX Produktdetails

Features
● Available in Low Conduction Loss Class as MM118-xxL or Fast Switching Class as MM118-xxF
● Compact and rugged construction offering weight and space savings
● Available with PC board solderable pins (see mechanical outline below) or threaded terminals (add “T”suffix to part number, see option below)
● HPM (Hermetic Power Module)
● Isolation voltage capability (in reference to the base) in excess of 3kV · Very low thermal resistance
● Thermally matched construction provides excellent temperature and power cycling capability
● Additional voltage ratings or terminations available upon request

Ähnliche Teilenummer - MM118-XX

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Mitsumi Electronics, Co...	MM1180	104Kb / 5P	Low-Noise, Low-Satulation Three-Pin Regulator
	MM1181	104Kb / 5P	Low-Noise, Low-Satulation Three-Pin Regulator
	MM1186	103Kb / 4P	Video Amplifier Monolithic IC
	MM1188	117Kb / 5P	3-Input 1-Output Video Switch (with Y-C mix)
	MM1188	119Kb / 5P	3-Input 1-Output Video Switch (with Y-C mix) Monolithic IC

Ähnliche Beschreibung - MM118-XX

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Toshiba Semiconductor	GT30J324	166Kb / 7P	Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
	GT40T301	311Kb / 6P	Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
	GT20J101	259Kb / 6P	TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
	GT8G132	338Kb / 6P	TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
	GT15M321	269Kb / 6P	TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT
	GT60M322	191Kb / 6P	TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
	GT60M323	193Kb / 6P	TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
	GT40T302	173Kb / 6P	Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
	GT60M303	426Kb / 6P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT
	GT60N321	173Kb / 6P	Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT

Über Microsemi Corporation

Die Microsemi Corporation war ein amerikanisches Unternehmen, das sich auf die Konstruktion und Herstellung von Halbleiter- und Systemlösungen spezialisierte.
Das Unternehmen wurde 1960 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Aliso Viejo, Kalifornien.
Microsemi bot eine breite Palette von Produkten, darunter analoge und gemischte integrierte Schaltkreise, feldprogrammierbare Gate-Arrays (FPGAs), Stromverwaltungs- und Steuerungsprodukte sowie andere Halbleiterlösungen.
Die Produkte des Unternehmens wurden in verschiedenen Anwendungen wie Verteidigung und Sicherheit, Luft- und Raumfahrt und Luftfahrt, Industrie und Kommunikation verwendet.
Microsemi war bekannt für sein Fachwissen in der Halbleitertechnologie und seine Fähigkeit, seinen Kunden qualitativ hochwertige und zuverlässige Produkte zu liefern.
Im Jahr 2018 wurde Microsemi von Microchip Technology, einem führenden Anbieter von Mikrocontroller-, Mischsignal-, Analog- und Sicherheitsprodukten, übernommen.
Die Marke Microsemi ist nicht mehr verwendet, aber ihre Technologie und Produkte sind weiterhin Teil des Portfolios von Microchip.

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