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UPFS320P Datenblatt (PDF) - Microsemi Corporation

UPFS320P Datasheet PDF - Microsemi Corporation
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UPFS320P Datasheet (PDF)

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UPFS320P Datenblatt (HTML) - Microsemi Corporation


UPFS320P Produktdetails

Description
The MOSKEY® combines a MOSFET with a Schottky Rectifier to provide reverse blocking capability in a single three leaded package. This device is well suited for applications such as battery chargers and switching where the intrinsic source-drain diode is an undesirable feature.

Features
• POWERMITE 3 Surface Mount Package
• MOSFET with Schottky Rectifier for reverse voltage blocking
• Single 3 leaded device replaces 2 individual components
• Integral Heat Sink / Locking Tabs
• Supplied in 16mm Tape and Reel – 6000 units/reel
• Superior Low Thermal and Electrical capability




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Über Microsemi Corporation


Die Microsemi Corporation war ein amerikanisches Unternehmen, das sich auf die Konstruktion und Herstellung von Halbleiter- und Systemlösungen spezialisierte.
Das Unternehmen wurde 1960 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Aliso Viejo, Kalifornien.
Microsemi bot eine breite Palette von Produkten, darunter analoge und gemischte integrierte Schaltkreise, feldprogrammierbare Gate-Arrays (FPGAs), Stromverwaltungs- und Steuerungsprodukte sowie andere Halbleiterlösungen.
Die Produkte des Unternehmens wurden in verschiedenen Anwendungen wie Verteidigung und Sicherheit, Luft- und Raumfahrt und Luftfahrt, Industrie und Kommunikation verwendet.
Microsemi war bekannt für sein Fachwissen in der Halbleitertechnologie und seine Fähigkeit, seinen Kunden qualitativ hochwertige und zuverlässige Produkte zu liefern.
Im Jahr 2018 wurde Microsemi von Microchip Technology, einem führenden Anbieter von Mikrocontroller-, Mischsignal-, Analog- und Sicherheitsprodukten, übernommen.
Die Marke Microsemi ist nicht mehr verwendet, aber ihre Technologie und Produkte sind weiterhin Teil des Portfolios von Microchip.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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