IRF530 Datenblatt(PDF) - ON Semiconductor

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IRF530 Datenblatt (PDF) - ON Semiconductor

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IRF530 Produktdetails

TMOS E−FET.™ Power Field Effect Transistor
N−Channel Enhancement−Mode Silicon Gate

This advanced TMOS power FET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. This new energy efficient design also offers a drain−to−source diode with a fast recovery time. Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters, and PWM motor controls. These devices are particularly well suited for bridge circuits where diode speed and commutating safe operating area are critical and offer additional safety margin against unexpected voltage transients.

• Avalanche Energy Specified
• Source−to−Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode
• Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits
• IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature

Ähnliche Teilenummer - IRF530

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Motorola, Inc	IRF530	157Kb / 2P	N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR
STMicroelectronics	IRF530	47Kb / 3P	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR Jun-1988
Transys Electronics	IRF530	481Kb / 5P	N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE
Samsung semiconductor	IRF530	354Kb / 6P	N-CHANNEL POWER MOSFETS
Fairchild Semiconductor	IRF530	180Kb / 6P	N-Channel Power MOSFETs, 20 A, 60-100 V

Ähnliche Beschreibung - IRF530

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
ON Semiconductor	MTD6N15T4G	125Kb / 6P	N?묬hannel Enhancement?묺ode Silicon Gate May, 2013 ??Rev. 5
	NTP30N20G	164Kb / 7P	N?묬hannel Enhancement?묺ode TO??20 March, 2006 ??Rev. 5
	NTB35N15T4G	86Kb / 8P	N?묬hannel Enhancement?묺ode D2PAK August, 2005 ??Rev. 5
	NTB13N10T4G	83Kb / 8P	100 V, 13 A, N?묬hannel Enhancement?묺ode D2PAK August, 2005 ??Rev. 6
	MTP10N40E	234Kb / 8P	N?묬hannel Enhancement?묺ode Silicon Gate August, 2006 ??Rev. 1
	MTP2N40E	213Kb / 7P	N?묬hannel Enhancement?묺ode Silicon Gate August, 2006 ??Rev. 1
	MTP3N50E	236Kb / 8P	N?묬hannel Enhancement?묺ode Silicon Gate August, 2006 ??Rev. 2
	NTMS4P01R2	232Kb / 8P	P?묬hannel Enhancement?묺ode Power MOSFET August, 2006 ??Rev. 1
	NTLTD7900N	82Kb / 6P	N?묬hannel Enhancement?묺ode Silicon Gate October, 2005 ??Rev. 1
	NTP22N06	200Kb / 7P	N?묬hannel Enhancement?묺ode Silicon Gate August, 2006 ??Rev. 2

Über ON Semiconductor

ON Semiconductor befindet sich ein börsennotiertes Unternehmen, das eine breite Palette von Halbleiterprodukten für eine Vielzahl von Anwendungen entwirft, entwickelt und herstellt, darunter Automobil-, Computer-, Konsumgüter-, Industrie- und Kommunikationsmärkte.
Das Unternehmen wurde 1999 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Phoenix, Arizona.
Über Semiconductor bietet unter anderem ein breites Portfolio an analogen und diskreten Halbleitern, einschließlich LeistungsmOSFETs, Dioden, Gleichrichter, Spannungsregulatoren.
Die Produkte des Unternehmens sind energieeffizient, zuverlässig und kostengünstig und werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet, darunter tragbare Elektronik, industrielle Automatisierungssysteme, erneuerbare Energiesysteme und Automobilelektronik.
Semiconductor engagiert sich für Innovation und Kundenzufriedenheit und setzt sich dafür ein, die besten Halbleiterlösungen für die Bedürfnisse unserer Kunden zu bieten.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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