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BFP620F Datenblatt (PDF) - Infineon Technologies AG

BFP620F Datasheet PDF - Infineon Technologies AG
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Bauteilbeschribung NPN Silicon Germanium RF Transistor

BFP620F Datenblatt (HTML) - Infineon Technologies AG


BFP620F Produktdetails

NPN Silicon Germanium RF Transistor*

• High gain low noise RF transistor
• Small package 1.4 x 0.8 x 0.59 mm
• Outstanding noise figure F = 0.7 dB at 1.8 GHz
   Outstanding noise figure F = 1.3 dB at 6 GHz
• Maximum stable gain
   Gms = 21 dB at 1.8 GHz
   Gma = 10 dB at 6 GHz
• Gold metallization for extra high reliability
• Pb-free (RoHS compliant) package1)
• Qualified according AEC Q101
* Short term description




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Über Infineon Technologies AG


Infineon Technologies ist ein führender globaler Halbleiterhersteller, der sich auf die Bereitstellung von Leistungsmanagement-, Sicherheits- und Kontrolllösungen für eine Vielzahl von Branchen wie Automobil-, Industrie- und Kommunikationssystemen spezialisiert hat.
Das Unternehmen wurde 1999 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Neubiberg.
Infineon bietet eine breite Palette von Produkten, darunter Mikrocontroller, Power -Halbleiter, Sensoren und andere integrierte Schaltungen.
Das Unternehmen ist auf dem globalen Markt stark vertreten, mit Betrieb und Einrichtungen in verschiedenen Ländern auf der ganzen Welt.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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