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STGD10HF60KD Datenblatt (PDF) - STMicroelectronics
STGD10HF60KD Datasheet PDF - STMicroelectronics
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Bauteilbeschribung Automotive-grade 10 A, 600 V, short-circuit rugged IGBT with Ultrafast diode

STGD10HF60KD Datasheet (PDF)

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STGD10HF60KD Datenblatt (HTML) - STMicroelectronics


STGD10HF60KD Produktdetails

Description
This device utilizes the advanced PowerMESH™ process for the IGBT and the Turbo 2 Ultrafast high voltage technology for the diode. The combination results in a very good trade-off between conduction losses and switching behavior rendering the product ideal for diverse high voltage applications operating at high frequencies. DPAK 1 3 TAB

Features
■ Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified
■ Low on-voltage drop (VCE(sat))
■ Low Cres / Cies ratio (no cross conduction susceptibility)
■ Switching losses include diode recovery energy
■ Short-circuit rated
■ Very soft Ultrafast recovery anti-parallel diode

Applications
■ High frequency inverters
■ SMPS and PFC in both hard switch and resonant topologies
■ Motor drives
■ Injection systems




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Über STMicroelectronics

Stmicroelectronics ist ein multinationaler Elektronik- und Halbleiterhersteller mit Sitz in Genf, Schweiz.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten an, darunter Mikrocontroller, Sensoren, Stromverstärker und integrierte Schaltkreise für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

STMICROELECTRONICS wurde 1987 gegründet und ist in über 100 Ländern betrieben und ist eines der größten Halbleiterunternehmen der Welt.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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