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PTF080451 Datenblatt (PDF) - Infineon Technologies AG

PTF080451 Datasheet PDF - Infineon Technologies AG
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Bauteilbeschribung LDMOS RF Power Field Effect Transistor 45 W, 869-960 MHz

PTF080451 Datasheet (PDF)

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PTF080451 Datenblatt (HTML) - Infineon Technologies AG


PTF080451 Produktdetails

Description

The PTF080451 is a 45 W, internally matched GOLDMOS FET intended for EDGE and CDMA  applications in the 860 to 960 MHz band. Full gold metallization ensures excellent device lifetime and reliability.



Features

• Broadband internal matching

• Typical EDGE performance

- Average output power = 22.5 W

- Gain = 18 dB

- Efficiency = 40%

• Typical CW performance

- Output power at P–1dB = 60 W

- Gain = 17 dB

- Efficiency = 60%

• Integrated ESD protection: Human Body Model, Class 1 (minimum)

• Excellent thermal stability

• Low HCI drift

• Capable of handling 10:1 VSWR @ 28 V, 45 W (CW) output power



 




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Über Infineon Technologies AG


Infineon Technologies ist ein führender globaler Halbleiterhersteller, der sich auf die Bereitstellung von Leistungsmanagement-, Sicherheits- und Kontrolllösungen für eine Vielzahl von Branchen wie Automobil-, Industrie- und Kommunikationssystemen spezialisiert hat.
Das Unternehmen wurde 1999 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Neubiberg.
Infineon bietet eine breite Palette von Produkten, darunter Mikrocontroller, Power -Halbleiter, Sensoren und andere integrierte Schaltungen.
Das Unternehmen ist auf dem globalen Markt stark vertreten, mit Betrieb und Einrichtungen in verschiedenen Ländern auf der ganzen Welt.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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