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MBR3100RL Datenblatt (PDF) - ON Semiconductor
MBR3100RL Datasheet PDF - ON Semiconductor
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Hersteller  ONSEMI [ON Semiconductor]
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Bauteilbeschribung SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER 3.0 AMPERES 100 VOLTS

MBR3100RL Datasheet (PDF)

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MBR3100RL Datenblatt (HTML) - ON Semiconductor


MBR3100RL Produktdetails

Axial Lead Rectifier

This device employs the Schottky Barrier principle in a large area metal−to−silicon power diode. State−of−the−art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlap contact. Ideally suited for use as rectifiers in low−voltage, high−frequency inverters, free wheeling diodes, and polarity protection diodes.

Features
• Low Reverse Current
• Low Stored Charge, Majority Carrier Conduction
• Low Power Loss/High Efficiency
• Highly Stable Oxide Passivated Junction
• Guard−ring for Stress Protection
• Low Forward Voltage
• 175°C Operating Junction Temperature
• High Surge Capacity
• Pb−Free Packages are Available*




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Über ON Semiconductor

ON Semiconductor befindet sich ein börsennotiertes Unternehmen, das eine breite Palette von Halbleiterprodukten für eine Vielzahl von Anwendungen entwirft, entwickelt und herstellt, darunter Automobil-, Computer-, Konsumgüter-, Industrie- und Kommunikationsmärkte.
Das Unternehmen wurde 1999 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Phoenix, Arizona.
Über Semiconductor bietet unter anderem ein breites Portfolio an analogen und diskreten Halbleitern, einschließlich LeistungsmOSFETs, Dioden, Gleichrichter, Spannungsregulatoren.
Die Produkte des Unternehmens sind energieeffizient, zuverlässig und kostengünstig und werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet, darunter tragbare Elektronik, industrielle Automatisierungssysteme, erneuerbare Energiesysteme und Automobilelektronik.
Semiconductor engagiert sich für Innovation und Kundenzufriedenheit und setzt sich dafür ein, die besten Halbleiterlösungen für die Bedürfnisse unserer Kunden zu bieten.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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