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74ALVC125D Datenblatt (PDF) - NXP Semiconductors

74ALVC125D Datasheet PDF - NXP Semiconductors
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74ALVC125D Datasheet (PDF)

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74ALVC125D Datenblatt (HTML) - NXP Semiconductors


74ALVC125D Produktdetails

DESCRIPTION
The 74ALVC125 is a high-performance, low-power, low-voltage, Si-gate CMOS device and superior to most advanced CMOS compatible TTL families.
Schmitt-trigger action at all inputs makes the circuit tolerant for slower input rise and fall times.

FEATURES
• Wide supply voltage range from 1.65 to 3.6 V
• Complies with JEDEC standard:
    JESD8-7 (1.65 to 1.95 V)
    JESD8-5 (2.3 to 2.7 V)
    JESD8B/JESD36 (2.7 to 3.6 V)
• 3.6 V tolerant inputs/outputs
• CMOS low power consumption
• Direct interface with TTL levels (2.7 to 3.6 V)
• Power-down mode
• Latch-up performance exceeds 250 mA
• ESD protection:
    HBM EIA/JESD22-A114-A exceeds 2000 V
    MM EIA/JESD22-A115-A exceeds 200 V.




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Über NXP Semiconductors


NXP Semiconductors ist ein öffentlich gehandeltes multinationales Unternehmen, das eine breite Palette von Halbleitern und integrierten Schaltungen für verschiedene Anwendungen entwirft und herstellt, einschließlich Automobil-, Industrie-, Kommunikations- und Verbrauchermärkte.
Das Unternehmen wurde 2006 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Eindhoven, Niederlande.
NXP bietet ein breites Produktportfolio an, darunter Mikrocontroller, Mikroprozessoren, sichere Authentifizierungs -ICs, ICs, ICs, RF- und Mikrowellenkomponenten sowie Sensorlösungen.
Die Produkte des Unternehmens sind energieeffizient, sicher und zuverlässig und werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet, einschließlich Automobilsysteme, industrielle Automatisierung und Steuerung, intelligente Häuser und Gebäude sowie angeschlossene Geräte.
NXP widmet sich der Innovation und der Kundenzufriedenheit und setzt sich dafür ein, den Kunden die besten Halbleiterlösungen zur Verfügung zu stellen, um ihre Bedürfnisse zu erfüllen.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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