SI4965DY Datenblatt(PDF) - Vishay Siliconix

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SI4965DY Datenblatt (PDF) - Vishay Siliconix

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Ähnliche Teilenummer - SI4965DY

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Vishay Siliconix	SI4965DY	105Kb / 5P	Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET 18-May-09
Vishay Siliconix	SI4965DY	105Kb / 5P	Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET 18-May-09

Ähnliche Beschreibung - SI4965DY

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	SI6973DQ	66Kb / 4P	Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET 22-May-00
	SI1905BDH	142Kb / 7P	Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET 05-Nov-07
Guangdong Kexin Industr...	KI1905DL	52Kb / 2P	Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
Guangdong Kexin Industr...	KI5935DC	66Kb / 2P	Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
Vishay Siliconix	SI5935DC-T1-E3	233Kb / 10P	Dual P-Channel 1.8 V (G-S) MOSFET 19-Apr-10
	SI6967DQ-T1-E3	216Kb / 10P	Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET 02-Jun-08
	SI5905DC	112Kb / 5P	Dual P-Channel 1.8 V (G-S) MOSFET 19-Apr-10
	SI4967DY	103Kb / 5P	Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET 18-May-09

Über Vishay Siliconix

Vishay Siliconix ist eine Tochtergesellschaft von Vishay Intertechnology, einem globalen Hersteller passiver elektronischer Komponenten.
Vishay Siliconix ist spezialisiert auf das Design, die Herstellung und Vermarktung von Energie -MOSFETs, IGBTs und anderen Power -Halbleitern.
Das Unternehmen wurde 1962 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Santa Clara, Kalifornien.
Vishay Siliconix bietet Power Solutions für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter erneuerbare Energiesysteme, Industriegeräte, Computer und Telekommunikation sowie Automobilelektronik.
Die Produkte des Unternehmens sind für hohe Effizienz, geringem Stromverbrauch und hohe Zuverlässigkeit ausgelegt und werden in hochmodernen Einrichtungen mit fortschrittlichen Herstellungsprozessen hergestellt.
Mit dem Fokus auf Innovation und Kundenzufriedenheit setzt sich Vishay Siliconix dafür ein, den Kunden die besten Stromverwaltungslösungen für ihre Bedürfnisse zu bieten.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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