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IRLD014 Datenblatt (PDF) - International Rectifier

IRLD014 Datasheet PDF - International Rectifier
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IRLD014 Datenblatt (HTML) - International Rectifier


IRLD014 Produktdetails

Description
Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
The 4-pin DIP package is a low cost machine-insertiable case style which can be stacked in multiple combinations on standard 0.1 inch pin centers. The dual drain servers as a thermal link to the mounting surface for power dissipation levels up to 1 watt.

• Dynamic dV/dt Rating
• For Automatic Insertion
• End Stackable
• Logic-Level Gate Drive
• RDS(on) Specified at VGS = 4 V & 5 V
• 175 °C Operating Temperature
• Fast Switching




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Über International Rectifier


International Gleichrichter (IR) war ein amerikanisches Unternehmen, das sich auf die Konstruktion und Herstellung von Halbleitern für Energieverwaltungen und Leistungskontrolle spezialisierte.
Die Firma wurde 1947 gegründet und hat seinen Hauptsitz in El Segundo, Kalifornien.
IR stellte eine breite Palette von Produkten zur Verfügung, darunter ICS -MOSFETs, IGBTs und andere Stromversorgungsprodukte.
Die Produkte des Unternehmens wurden in verschiedenen Anwendungen wie Computer, Telekommunikation und industrielle Automatisierung verwendet.
IR war bekannt für seine Expertise in Bezug auf die Energieverwaltung und -kontrolltechnologie und seine Fähigkeit, seinen Kunden qualitativ hochwertige und zuverlässige Produkte zu liefern.
Im Jahr 2014 wurde IR von Infineon Technologies, einem führenden Anbieter von Stromverwaltungs- und Kontrollprodukten und anderen Halbleiterlösungen, übernommen.
Die Marke International Gleichrichter ist nicht mehr in Gebrauch, aber ihre Technologie und Produkte sind weiterhin Teil des Portfolios von Infineon.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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