3N200 Datenblatt(PDF) - Intersil Corporation

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3N200 Datenblatt (PDF) - Intersil Corporation

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SILICON DUAL INSULATED-GATE FIELD-EFFECT TRANSISTOR

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3N200 Produktdetails

Silicon Dual Insulated-Gate Field-Effect Transistor

With Integrated Gate-Protection Circuits
For Military and Industrial Applications up to 500 MHz

Applications
● RF amplifier, mixer, and IF amplifier in military and industrial communications equipment
● Aircraft and marine vehicular receivers
● CATV and MATV equipment
● Telemetry and multiplex equipment

Ähnliche Teilenummer - 3N200

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
New Jersey Semi-Conduct...	3N200	88Kb / 1P	DUAL-GATE MOSFET

Ähnliche Beschreibung - 3N200

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
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InterFET Corporation	2N3958	66Kb / 1P	N-Channel Dual Silicon Junction Field-Effect Transistor
Vaishali Semiconductor	3N187	486Kb / 8P	SILICON DUAL INSULATED-GATE FIELD-EFFECT TRANSISTOR
List of Unclassifed Man...	3N142	278Kb / 5P	SILICON INSULATED GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR
List of Unclassifed Man...	3N153	148Kb / 3P	SILICON INSULATED GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR
GE Solid State	3N206	363Kb / 8P	Silicon Dual Insulated-Gate Field-Effect Transistors
NTE Electronics	NTE455	79Kb / 2P	N−Channel Silicon Dual−Gate MOS Field Effect Transistor
New Jersey Semi-Conduct...	3N128	153Kb / 1P	N-CHANNEL INSULATED-GATE DEPLETION-TYPE FIELD-EFFECT TRANSISTOR
InterFET Corporation	2N3957	72Kb / 1P	N-Channel Dual Silicon Junction Field-Effect Transistor
List of Unclassifed Man...	3SK40	70Kb / 1P	N-CHANNEL SILICON CUAL-GATE MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR

Über Intersil Corporation

Die Intersil Corporation war eine amerikanische Halbleiterfirma, die sich auf die Konstruktion und Herstellung von analogen und gemischten integrierten Schaltkreisen mit leistungsstarken und gemischten Signal-Signal spezialisierte.
Das Unternehmen wurde 1967 gegründet und war bekannt für sein Know -how in Bezug auf die Technologien des Stromverwaltung, Datenumwandlungsunternehmens und Funkfrequenz (RF).
Die Produkte von Intersil wurden in einer Vielzahl von Anwendungen wie Unterhaltungselektronik, Industrie, Telekommunikation sowie Luft- und Raumfahrt und Verteidigung verwendet.
Im Jahr 2016 wurde Intersil von der Renesas Electronics Corporation, einer japanischen Halbleiterfirma, übernommen.
Die Marke und Technologie von Intersil werden im Rahmen des Produktportfolios von Renesas weiterentwickelt und verkauft.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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