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GA200TS60U Datenblatt (PDF) - International Rectifier
GA200TS60U Datasheet PDF - International Rectifier
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Bauteilbeschribung HALF-BRIDGE IGBT INT-A-PAK Ultra-Fast Speed IGBT

GA200TS60U Datasheet (PDF)

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GA200TS60U Datenblatt (HTML) - International Rectifier


GA200TS60U Produktdetails

HALF-BRIDGE IGBT INT-A-PAK

Ultra-Fast Speed IGBT



Features

• UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200kHz in resonant mode

• Very low conduction and switching losses

• HEXFRED™antiparallel diodes with ultra-soft recovery

• Industry standard package

• UL approved



Benefits

• Increased operating efficiency

• Direct mounting to heatsink

• Performance optimized for power conversion: UPS, SMPS, Welding

• Lower EMI, requires less snubbing

• Generation 4 IGBT technology




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Über International Rectifier

International Gleichrichter (IR) war ein amerikanisches Unternehmen, das sich auf die Konstruktion und Herstellung von Halbleitern für Energieverwaltungen und Leistungskontrolle spezialisierte.
Die Firma wurde 1947 gegründet und hat seinen Hauptsitz in El Segundo, Kalifornien.
IR stellte eine breite Palette von Produkten zur Verfügung, darunter ICS -MOSFETs, IGBTs und andere Stromversorgungsprodukte.
Die Produkte des Unternehmens wurden in verschiedenen Anwendungen wie Computer, Telekommunikation und industrielle Automatisierung verwendet.
IR war bekannt für seine Expertise in Bezug auf die Energieverwaltung und -kontrolltechnologie und seine Fähigkeit, seinen Kunden qualitativ hochwertige und zuverlässige Produkte zu liefern.
Im Jahr 2014 wurde IR von Infineon Technologies, einem führenden Anbieter von Stromverwaltungs- und Kontrollprodukten und anderen Halbleiterlösungen, übernommen.
Die Marke International Gleichrichter ist nicht mehr in Gebrauch, aber ihre Technologie und Produkte sind weiterhin Teil des Portfolios von Infineon.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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