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IR3220 Datenblatt (PDF) - International Rectifier
IR3220 Datasheet PDF - International Rectifier
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Bauteilbeschribung FULLY PROTECTED H-BRIDGE FOR D.C. MOTOR

IR3220 Datasheet (PDF)

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IR3220 Datenblatt (HTML) - International Rectifier


IR3220 Produktdetails

Description

The IR 3220 is a Fully Protected Dual High Side Switch I.C. With two additional Low Side switches (e.g. IRF7474 - available 01/01), the IR 3220 drives and controls the whole H bridge topology. It provides shoot-through protection for each leg, Hbridge logic control, soft-start sequence and over-current /overtemp.



Features

• Over temperature shutdown

• Over current shutdown

• Inrush current limited by Soft-Start sequence

• E.S.D protection

• Status feedback

• Sleep mode for direct battery connection

• Braking/non-braking operation



 




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Über International Rectifier

International Gleichrichter (IR) war ein amerikanisches Unternehmen, das sich auf die Konstruktion und Herstellung von Halbleitern für Energieverwaltungen und Leistungskontrolle spezialisierte.
Die Firma wurde 1947 gegründet und hat seinen Hauptsitz in El Segundo, Kalifornien.
IR stellte eine breite Palette von Produkten zur Verfügung, darunter ICS -MOSFETs, IGBTs und andere Stromversorgungsprodukte.
Die Produkte des Unternehmens wurden in verschiedenen Anwendungen wie Computer, Telekommunikation und industrielle Automatisierung verwendet.
IR war bekannt für seine Expertise in Bezug auf die Energieverwaltung und -kontrolltechnologie und seine Fähigkeit, seinen Kunden qualitativ hochwertige und zuverlässige Produkte zu liefern.
Im Jahr 2014 wurde IR von Infineon Technologies, einem führenden Anbieter von Stromverwaltungs- und Kontrollprodukten und anderen Halbleiterlösungen, übernommen.
Die Marke International Gleichrichter ist nicht mehr in Gebrauch, aber ihre Technologie und Produkte sind weiterhin Teil des Portfolios von Infineon.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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