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SBL10L30 Datenblatt (PDF) - Vishay Siliconix
SBL10L30 Datasheet PDF - Vishay Siliconix
Teilenummer SBL10L30
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Hersteller  VISHAY [Vishay Siliconix]
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Bauteilbeschribung Schottky Barrier Rectifier

SBL10L30 Datasheet (PDF)

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SBL10L30 Datenblatt (HTML) - Vishay Siliconix


SBL10L30 Produktdetails

FEATURES
• Guardring for overvoltage protection
• Low power loss, high efficiency
• Very low forward voltage drop
• High forward surge capability
• High frequency operation
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package)
• Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AC and ITO-220AC package)
• AEC-Q101 qualified
• Material categorization: For definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912

TYPICAL APPLICATIONS
  For use in low voltage, high frequency rectifier of switching mode power supplies, OR-ring diode, freewheeling diodes, DC/DC converters and polarity protection application.




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Über Vishay Siliconix

Vishay Siliconix ist eine Tochtergesellschaft von Vishay Intertechnology, einem globalen Hersteller passiver elektronischer Komponenten.
Vishay Siliconix ist spezialisiert auf das Design, die Herstellung und Vermarktung von Energie -MOSFETs, IGBTs und anderen Power -Halbleitern.
Das Unternehmen wurde 1962 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Santa Clara, Kalifornien.
Vishay Siliconix bietet Power Solutions für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter erneuerbare Energiesysteme, Industriegeräte, Computer und Telekommunikation sowie Automobilelektronik.
Die Produkte des Unternehmens sind für hohe Effizienz, geringem Stromverbrauch und hohe Zuverlässigkeit ausgelegt und werden in hochmodernen Einrichtungen mit fortschrittlichen Herstellungsprozessen hergestellt.
Mit dem Fokus auf Innovation und Kundenzufriedenheit setzt sich Vishay Siliconix dafür ein, den Kunden die besten Stromverwaltungslösungen für ihre Bedürfnisse zu bieten.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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