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TCLT1000 Datenblatt (PDF) - Vishay Siliconix
TCLT1000 Datasheet PDF - Vishay Siliconix
Teilenummer TCLT1000
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Bauteilbeschribung Optocoupler with Phototransistor Output

TCLT1000 Datasheet (PDF)

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TCLT1000 Datasheet PDF - Vishay Siliconix

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Bauteilbeschribung Optocoupler with Phototransistor Output

TCLT1000 Datenblatt (HTML) - Vishay Siliconix


TCLT1000 Produktdetails

DESCRIPTION
The TCLT100. series consists of a phototransistor optically coupled to a gallium arsenide infrared-emitting diode in a 4-lead SOP4L package.

FEATURES
• SMD low profile 4 lead package
• VIORM = 1050 V
• CTR flexibility available see order information
• Special construction
• Extra low coupling capacitance
• DC input with transistor output
• Creepage distance > 8 mm
• Material categorization:
   for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912
  
APPLICATIONS
• Switchmode power supplies
• Computer peripheral interface
• Microprocessor system interface




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Über Vishay Siliconix

Vishay Siliconix ist eine Tochtergesellschaft von Vishay Intertechnology, einem globalen Hersteller passiver elektronischer Komponenten.
Vishay Siliconix ist spezialisiert auf das Design, die Herstellung und Vermarktung von Energie -MOSFETs, IGBTs und anderen Power -Halbleitern.
Das Unternehmen wurde 1962 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Santa Clara, Kalifornien.
Vishay Siliconix bietet Power Solutions für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter erneuerbare Energiesysteme, Industriegeräte, Computer und Telekommunikation sowie Automobilelektronik.
Die Produkte des Unternehmens sind für hohe Effizienz, geringem Stromverbrauch und hohe Zuverlässigkeit ausgelegt und werden in hochmodernen Einrichtungen mit fortschrittlichen Herstellungsprozessen hergestellt.
Mit dem Fokus auf Innovation und Kundenzufriedenheit setzt sich Vishay Siliconix dafür ein, den Kunden die besten Stromverwaltungslösungen für ihre Bedürfnisse zu bieten.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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