2SD2012 Datenblatt(PDF)

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2SD2012 Datenblatt (PDF) - STMicroelectronics

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2SD2012 Produktdetails

DESCRIPTION
The 2SD2012 is a silicon NPN power transistor housed in TO-220F insulated package. It is inteded for power linear and switching applications.

■ HIGH DC CURRENT GAIN
■ LOW SATURATION VOLTAGE
■ INSULATED PACKAGE FOR EASY MOUNTING

APPLICATIONS
■ GENERAL PURPOSE POWER AMPLIFIERS
■ GENERAL PURPOSE SWITCHING

Ähnliche Beschreibung - 2SD2012

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Advanced Semiconductor	MRF342	145Kb / 1P	SILICON POWER NPN TRANSISTOR
NEC	2SC2333	167Kb / 3P	NPN Silicon Power Transistor
Continental Device Indi...	C13003	160Kb / 4P	NPN SILICON POWER TRANSISTOR
Continental Device Indi...	CFC4662	106Kb / 3P	NPN SILICON POWER TRANSISTOR
Bourns Electronic Solut...	BUT11	128Kb / 5P	NPN SILICON POWER TRANSISTOR
Bourns Electronic Solut...	BUX84	125Kb / 6P	NPN SILICON POWER TRANSISTOR
Microsemi Corporation	2N2880	45Kb / 2P	NPN POWER SILICON TRANSISTOR
Microsemi Corporation	2N5002	58Kb / 2P	NPN POWER SILICON TRANSISTOR
M/A-COM Technology Solu...	MRF10031	195Kb / 5P	Microwave Power Silicon NPN Transistor Microwave Power Silicon NPN Transistor
Kwang Myoung I.S. CO.,L...	TIP35CF	5Mb / 2P	Silicon NPN Power Transistor

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Über STMicroelectronics

Stmicroelectronics ist ein multinationaler Elektronik- und Halbleiterhersteller mit Sitz in Genf, Schweiz.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten an, darunter Mikrocontroller, Sensoren, Stromverstärker und integrierte Schaltkreise für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

STMICROELECTRONICS wurde 1987 gegründet und ist in über 100 Ländern betrieben und ist eines der größten Halbleiterunternehmen der Welt.

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