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STE110NS20FD Datenblatt (PDF) - STMicroelectronics
STE110NS20FD Datasheet PDF - STMicroelectronics
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Bauteilbeschribung N-CHANNEL 200V - 0.022W - 110A ISOTOP MESH OVERLAY™ Power MOSFET

STE110NS20FD Datasheet (PDF)

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STE110NS20FD Datenblatt (HTML) - STMicroelectronics


STE110NS20FD Produktdetails

n TYPICAL RDS(on) = 0.022Ω
n EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY
n 100% AVALANCHE TESTED
n GATE CHARGE MINIMIZED
n ± 20V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING
n LOW INTRINSIC CAPACITANCE
n FAST BODY-DRAIN DIODE:LOW trr, Qrr

DESCRIPTION
Using the latest high voltage MESH OVERLAY™
process, STMicroelectronics has designed an advanced family of power MOSFETs with outstanding
performances. The new patented STrip layout coupled with the Company’s proprietary edge termination structure, gives the lowest RDS(ON) per area,
exceptional avalanche and dv/dt capabilities and
unrivalled gate charge and switching characteristics.

APPLICATIONS
n HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING
n SWITCH MODE POWER SUPPLY (SMPS)
n DC-AC CONVERTER FOR WELDING
EQUIPMENT AND UNINTERRUPTABLE
POWER SUPPLY AND MOTOR DRIVE




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Über STMicroelectronics

Stmicroelectronics ist ein multinationaler Elektronik- und Halbleiterhersteller mit Sitz in Genf, Schweiz.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten an, darunter Mikrocontroller, Sensoren, Stromverstärker und integrierte Schaltkreise für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

STMICROELECTRONICS wurde 1987 gegründet und ist in über 100 Ländern betrieben und ist eines der größten Halbleiterunternehmen der Welt.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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