V8PL6-M3 Datenblatt(PDF) - Vishay Siliconix

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V8PL6-M3 Datenblatt (PDF) - Vishay Siliconix

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Ähnliche Teilenummer - V8PL6-M3

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Vishay Siliconix	V8PL6-M3	100Kb / 5P	High Current Density Surface Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.34 V at IF = 4 A 30-Oct-2019
	V8PL6-M3	82Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 27-Oct-14
	V8PL6-M3	100Kb / 5P	High Current Density Surface Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.34 V at IF = 4 A 30-Oct-2019

Ähnliche Beschreibung - V8PL6-M3

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Vishay Siliconix	V8P12	88Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.53 V at IF = 4 A 16-Dec-14
	V8P20	91Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.60 V at IF = 4 A 19-Apr-11
	V8P45-M3	96Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.34 V at IF = 4 A 04-May-15
	V8PM12-M3	100Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.53 V at IF = 4 A 16-Dec-14
	V10P6-M3	95Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.35 V at IF = 5 A 04-May-15
	V35PWM10	123Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.41 V at IF = 5 A 01-Jun-17
	V40PW12C	121Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.49 V at IF = 5 A 01-Jun-17
	V40PW60C	121Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.34 V at IF = 5 A 01-Jun-17
	V40PWM10C	121Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.46 V at IF = 5 A 01-Jun-17
	V40PWM12C	121Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A 01-Jun-17

Über Vishay Siliconix

Vishay Siliconix ist eine Tochtergesellschaft von Vishay Intertechnology, einem globalen Hersteller passiver elektronischer Komponenten.
Vishay Siliconix ist spezialisiert auf das Design, die Herstellung und Vermarktung von Energie -MOSFETs, IGBTs und anderen Power -Halbleitern.
Das Unternehmen wurde 1962 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Santa Clara, Kalifornien.
Vishay Siliconix bietet Power Solutions für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter erneuerbare Energiesysteme, Industriegeräte, Computer und Telekommunikation sowie Automobilelektronik.
Die Produkte des Unternehmens sind für hohe Effizienz, geringem Stromverbrauch und hohe Zuverlässigkeit ausgelegt und werden in hochmodernen Einrichtungen mit fortschrittlichen Herstellungsprozessen hergestellt.
Mit dem Fokus auf Innovation und Kundenzufriedenheit setzt sich Vishay Siliconix dafür ein, den Kunden die besten Stromverwaltungslösungen für ihre Bedürfnisse zu bieten.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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