VT60M45CHM3 Datenblatt(PDF) - Vishay Siliconix

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VT60M45CHM3 Datenblatt (PDF) - Vishay Siliconix

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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.32 V at IF = 5 A

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Ähnliche Teilenummer - VT60M45CHM3

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Vishay Siliconix	VT60M45C	134Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.32 V at IF = 5 A 09-Nov-17
	VT60M45C	134Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.32 V at IF = 5 A 09-Nov-17
	VT60M45C	134Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.32 V at IF = 5 A 09-Nov-17

Ähnliche Beschreibung - VT60M45CHM3

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Vishay Siliconix	V30200C	158Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.526 V at IF = 5 A 31-Jul-08
	V40100G	167Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.42 V at IF = 5 A 19-May-08
	V40100PG	106Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.420 V at IF = 5 A 26-May-08
	V50100P	103Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.375 V at IF = 5 A 26-May-08
	V60200PG	104Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.52 V at IF = 5 A 14-Oct-08
	VT30L60C-E3	134Kb / 5P	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.32 V at IF = 5.0 A 15-Dec-16
	VT4060C-E3	134Kb / 5P	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.32 V at IF = 5.0 A 15-Dec-16
	VBT30L60C-E3	89Kb / 4P	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.32 V at IF = 5.0 A 03-Jan-17
	VBT4060C-M3	88Kb / 4P	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.32 V at IF = 5.0 A 03-Jan-17
	VFT4060C-E3	88Kb / 4P	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.32 V at IF = 5.0 A 22-Nov-13

Über Vishay Siliconix

Vishay Siliconix ist eine Tochtergesellschaft von Vishay Intertechnology, einem globalen Hersteller passiver elektronischer Komponenten.
Vishay Siliconix ist spezialisiert auf das Design, die Herstellung und Vermarktung von Energie -MOSFETs, IGBTs und anderen Power -Halbleitern.
Das Unternehmen wurde 1962 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Santa Clara, Kalifornien.
Vishay Siliconix bietet Power Solutions für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter erneuerbare Energiesysteme, Industriegeräte, Computer und Telekommunikation sowie Automobilelektronik.
Die Produkte des Unternehmens sind für hohe Effizienz, geringem Stromverbrauch und hohe Zuverlässigkeit ausgelegt und werden in hochmodernen Einrichtungen mit fortschrittlichen Herstellungsprozessen hergestellt.
Mit dem Fokus auf Innovation und Kundenzufriedenheit setzt sich Vishay Siliconix dafür ein, den Kunden die besten Stromverwaltungslösungen für ihre Bedürfnisse zu bieten.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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