ADG636YRU Datenblatt(PDF) - Analog Devices

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ADG636YRU Datenblatt (PDF) - Analog Devices

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1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage CMOS 5 V/5 V/3 V Dual SPDT Switch

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ADG636YRU Produktdetails

GENERAL DESCRIPTION
The ADG636 is a monolithic device, comprising two independently selectable CMOS single pole, double throw (SPDT)
switches. When on, each switch conducts equally well in both
directions.
The ADG636 operates from a dual ±2.7 V to ±5.5 V supply, or from a single supply of +2.7 V to +5.5 V.

FEATURES
   1 pC charge injection
   ±2.7 V to ±5.5 V dual supply
   +2.7 V to +5.5 V single supply
   Automotive temperature range: −40°C to +125°C
   100 pA (maximum at 25°C) leakage currents
   85 Ω typical on resistance
   Rail-to-rail operation
   Fast switching times
   Typical power consumption (<0.1 μW)
   TTL-/CMOS-compatible inputs
   14-lead TSSOP package

APPLICATIONS
   Automatic test equipment
   Data acquisition systems
   Battery-powered instruments
   Communication systems
   Sample-and-hold systems
   Remote-powered equipment
   Audio and video signal routing
   Relay replacement
   Avionics

Ähnliche Teilenummer - ADG636YRU

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Analog Devices	ADG636YRU	498Kb / 16P	1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, CMOS, 짹5 V/5 V/3 V Dual SPDT Switch REV. B
	ADG636YRU-REEL	498Kb / 16P	1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, CMOS, 짹5 V/5 V/3 V Dual SPDT Switch REV. B
	ADG636YRUZ-REEL1	498Kb / 16P	1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, CMOS, 짹5 V/5 V/3 V Dual SPDT Switch REV. B
	ADG636YRUZ-REEL71	498Kb / 16P	1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, CMOS, 짹5 V/5 V/3 V Dual SPDT Switch REV. B
	ADG636YRUZ1	498Kb / 16P	1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, CMOS, 짹5 V/5 V/3 V Dual SPDT Switch REV. B

Ähnliche Beschreibung - ADG636YRU

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Analog Devices	ADG611	152Kb / 12P	1 pC Chanrge Injection, 100 pA Leakage, CMOS -5 V/5 V/3 V Quad SPST Switches REV.0
Analog Devices	ADG604	155Kb / 12P	1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage CMOS 짹5 V/5 V/3 V 4-Channel Multiplexer REV. 0
Vishay Siliconix	DG636	190Kb / 10P	0.5 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, Dual SPDT Analog Switch 04-Feb-08
Vishay Siliconix	DG636	192Kb / 13P	0.5 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, Dual SPDT Analog Switch 02-Aug-10
Analog Devices	ADG611	361Kb / 16P	1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, CMOS, 짹5 V/5 V/3 V, Quad SPST Switches REV. A
	ADG604YRUZ	162Kb / 12P	1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage CMOS 5,-5 V/5 V/3 V 4-Channel Multiplexer REV. 0
	ADG636YRU-REEL	498Kb / 16P	1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, CMOS, 짹5 V/5 V/3 V Dual SPDT Switch REV. B
Vishay Siliconix	DG9232E	276Kb / 12P	1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, 5 V / 3 V, Dual SPST Analog Switches 25-Jul-16
	DG9234E	277Kb / 12P	1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, 5 V / 3 V, Dual SPST Analog Switches 25-Jul-16
	DG636	240Kb / 15P	0.5 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, Dual SPDT Analog Switch 08-Dec-14

Über Analog Devices

Analog Devices, Inc. (ADI) ist ein börsennotiertes Unternehmen, das leistungsstarke analoge, gemischte Signal- und Digital Signal Processing (DSP) integrierte Schaltkreise (ICs) entwirft, entwickelt und herstellt.
Das Unternehmen wurde 1965 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Norwood, Massachusetts.
ADI dient einer Vielzahl von Branchen, einschließlich Luft- und Raumfahrt und Verteidigung, Automobil, Kommunikation, Verbraucher, Industrie, Medizin sowie Test und Messung.
Das Produktportfolio des Unternehmens umfasst unter anderem Datenkonverter, Verstärker und Komponenten, ICs, Microcontroller, Sensoren und Funkfrequenz (RF) und Mikrowellenkomponenten.
ADI widmet sich der Innovation und Kundenzufriedenheit und setzt sich dafür ein, seinen Kunden qualitativ hochwertige, zuverlässige Lösungen zu bieten, um ihren Anforderungen zu erfüllen.
Mit einem Fokus auf Energieeffizienz und Nachhaltigkeit ist ADI führend in der analogen und gemischten Signal-IC-Industrie, die technologische Fortschritte vorantreibt und innovative Lösungen für die schwierigsten Probleme der Welt bietet.

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