STTH8R06-Y Datenblatt(PDF)

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STTH8R06-Y Produktdetails

Description
The STTH8R06, which uses ST Turbo 2 600 V technology, is specially suited as a boost diode in continuous mode power factor correction and hard switching conditions. This device is also intended for use as a free wheeling diode in power supplies and other power switching applications.

Features
■ Ultrafast switching
■ Low reverse recovery current
■ Low thermal resistance
■ Reduces switching losses
■ AEC-Q101 qualified

Ähnliche Beschreibung - STTH8R06-Y

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
NXP Semiconductors	BYC8D-600	162Kb / 11P	Hyperfast power diode Reduces switching losses in associated MOSFET Rev. 01-27 December 2010
Diodes Incorporated	ZXGD3006	332Kb / 2P	High current 40V Gate Driver reduces IGBT switching losses JUNE 2011
International Rectifier	IRGB4045DPBF	387Kb / 10P	Low Switching Losses
HY ELECTRONIC CORP.	HYG15P120A1K1	1Mb / 8P	low switching losses
	HYG30P120H1K1	1Mb / 8P	low switching losses
	HYG75P120D1S	474Kb / 4P	low switching losses
Infineon Technologies A...	IGC136T170S8RH2	175Kb / 5P	low switching losses and saturation losses
International Rectifier	AUIRGDC0250	305Kb / 11P	Low Switching Losses
STMicroelectronics	STTH15AC06	305Kb / 8P	Reduces switching and conduction losses 24-Apr-2015
Littelfuse	MG12150S-DEN2MM	1Mb / 5P	Low switching losses

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Über STMicroelectronics

Stmicroelectronics ist ein multinationaler Elektronik- und Halbleiterhersteller mit Sitz in Genf, Schweiz.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten an, darunter Mikrocontroller, Sensoren, Stromverstärker und integrierte Schaltkreise für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

STMICROELECTRONICS wurde 1987 gegründet und ist in über 100 Ländern betrieben und ist eines der größten Halbleiterunternehmen der Welt.

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