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STB150N3LH6 Datenblatt (PDF) - STMicroelectronics
STB150N3LH6 Datasheet PDF - STMicroelectronics
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Bauteilbeschribung N-channel 30 V, 2.4 mΩ typ., 80 A, STripFET™ VI DeepGATE™ Power MOSFET in D²PAK package

STB150N3LH6 Datasheet (PDF)

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Bauteilbeschribung N-channel 30 V, 2.4 mΩ typ., 80 A, STripFET™ VI DeepGATE™ Power MOSFET in D²PAK package

STB150N3LH6 Datenblatt (HTML) - STMicroelectronics


STB150N3LH6 Produktdetails

Description
This device is an N-channel Power MOSFET developed using the 6th generation of STripFET™ DeepGATE™ technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits the lowest RDS(on) in all packages.

Features
■ 100% avalanche tested
■ Logic level drive

Applications
■ Switching applications




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VBsemi Electronics Co.,...		 STB150NF55 VBSEMI-STB150NF55 Datasheet
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Über STMicroelectronics

Stmicroelectronics ist ein multinationaler Elektronik- und Halbleiterhersteller mit Sitz in Genf, Schweiz.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten an, darunter Mikrocontroller, Sensoren, Stromverstärker und integrierte Schaltkreise für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

STMICROELECTRONICS wurde 1987 gegründet und ist in über 100 Ländern betrieben und ist eines der größten Halbleiterunternehmen der Welt.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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