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STD1HN60K3 Datenblatt (PDF) - STMicroelectronics
STD1HN60K3 Datasheet PDF - STMicroelectronics
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Bauteilbeschribung N-channel 600 V, 6.7 Ω typ., 1.2 A SuperMESH3™ Power MOSFET in DPAK and IPAK packages

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STD1HN60K3 Datenblatt (HTML) - STMicroelectronics


STD1HN60K3 Produktdetails

Description
These SuperMESH3™ Power MOSFETs are the result of improvements applied to STMicroelectronics’ SuperMESH™ technology, combined with a new optimized vertical structure. These devices boast an extremely low onresistance, superior dynamic performance and high avalanche capability, rendering them suitable for the most demanding applications. D(2, TAB) G(1) S(3) AM01476v1 DPAK IPAK 1 3 TAB 3 2 1 TAB

Features
■ 100% avalanche tested
■ Extremely high dv/dt capability
■ Gate charge minimized
■ Very low intrinsic capacitance
■ Improved diode reverse recovery characteristics
■ Zener-protected

Applications
■ Switching applications




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Über STMicroelectronics

Stmicroelectronics ist ein multinationaler Elektronik- und Halbleiterhersteller mit Sitz in Genf, Schweiz.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten an, darunter Mikrocontroller, Sensoren, Stromverstärker und integrierte Schaltkreise für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

STMICROELECTRONICS wurde 1987 gegründet und ist in über 100 Ländern betrieben und ist eines der größten Halbleiterunternehmen der Welt.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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