STD130N4F6AG Datenblatt(PDF)

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STD130N4F6AG Datenblatt (PDF) - STMicroelectronics

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STD130N4F6AG Produktdetails

Description
This device is an N-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ F6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all

Features
■ Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified
■ Very low on-resistance
■ Very low gate charge
■ High avalanche ruggedness
■ Low gate drive power loss

Applications
■ Switching applications

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Über STMicroelectronics

Stmicroelectronics ist ein multinationaler Elektronik- und Halbleiterhersteller mit Sitz in Genf, Schweiz.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten an, darunter Mikrocontroller, Sensoren, Stromverstärker und integrierte Schaltkreise für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

STMICROELECTRONICS wurde 1987 gegründet und ist in über 100 Ländern betrieben und ist eines der größten Halbleiterunternehmen der Welt.

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