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STFI13N60M2 Datenblatt (PDF) - STMicroelectronics
STFI13N60M2 Datasheet PDF - STMicroelectronics
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Bauteilbeschribung Low gate input resistance

STFI13N60M2 Datasheet (PDF)

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STFI13N60M2 Datenblatt (HTML) - STMicroelectronics


STFI13N60M2 Produktdetails

Description
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using a new generation of MDmesh™ technology: MDmesh II Plus™ low Qg. These revolutionary Power MOSFETs associate a vertical structure to the companys strip layout to yield one of the worlds lowest on-resistance and gate charge. They are therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.

Features
• Extremely low gate charge
• Lower RDS(on) x area vs previous generation
• Low gate input resistance
• 100% avalanche tested
• Zener-protected

Applications
• Switching applications




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Über STMicroelectronics

Stmicroelectronics ist ein multinationaler Elektronik- und Halbleiterhersteller mit Sitz in Genf, Schweiz.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten an, darunter Mikrocontroller, Sensoren, Stromverstärker und integrierte Schaltkreise für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

STMICROELECTRONICS wurde 1987 gegründet und ist in über 100 Ländern betrieben und ist eines der größten Halbleiterunternehmen der Welt.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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