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GP19NC60SD Datenblatt (PDF) - STMicroelectronics
GP19NC60SD Datasheet PDF - STMicroelectronics
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Bauteilbeschribung 20 A, 600 V fast IGBT with Ultrafast diode

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Bauteilbeschribung 20 A, 600 V fast IGBT with Ultrafast diode

GP19NC60SD Datenblatt (HTML) - STMicroelectronics


GP19NC60SD Produktdetails

Description
This IGBT utilizes the advanced PowerMESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior.

Features
■ Very low on-voltage drop (VCE(sat))
■ Minimum power losses at 5 kHz in hard switching
■ Optimized performance for medium operating frequencies.
■ IGBT co-packaged with Ultrafast freewheeling diode




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Über STMicroelectronics

Stmicroelectronics ist ein multinationaler Elektronik- und Halbleiterhersteller mit Sitz in Genf, Schweiz.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten an, darunter Mikrocontroller, Sensoren, Stromverstärker und integrierte Schaltkreise für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

STMICROELECTRONICS wurde 1987 gegründet und ist in über 100 Ländern betrieben und ist eines der größten Halbleiterunternehmen der Welt.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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