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STGWA25M120DF3 Datenblatt (PDF) - STMicroelectronics
STGWA25M120DF3 Datasheet PDF - STMicroelectronics
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Bauteilbeschribung Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 25 A low loss

STGWA25M120DF3 Datasheet (PDF)

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Bauteilbeschribung Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 25 A low loss

STGWA25M120DF3 Datenblatt (HTML) - STMicroelectronics


STGWA25M120DF3 Produktdetails

Description
This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the M series of IGBTs, which represent an optimum compromise in performance to maximize the efficiency of inverter systems where low-loss and short circuit capability are essential. Furthermore, a positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

Features
• 10 µs of short-circuit withstand time
• VCE(sat) = 1.85 V (typ.) @ IC = 25 A
• Tight parameters distribution
• Safer paralleling
• Low thermal resistance
• Soft and fast recovery antiparallel diode

Applications
• Industrial drives
• UPS
• Solar
• Welding




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Über STMicroelectronics

Stmicroelectronics ist ein multinationaler Elektronik- und Halbleiterhersteller mit Sitz in Genf, Schweiz.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten an, darunter Mikrocontroller, Sensoren, Stromverstärker und integrierte Schaltkreise für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

STMICROELECTRONICS wurde 1987 gegründet und ist in über 100 Ländern betrieben und ist eines der größten Halbleiterunternehmen der Welt.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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