STR1P2UH7 Datenblatt(PDF)

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STR1P2UH7 Datenblatt (PDF) - STMicroelectronics

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STR1P2UH7 Produktdetails

Description
This P-channel Power MOSFET utilizes the STripFET H7 technology with a trench gate structure combined with extremely low onresistance. The device also offers ultra-low capacitances for higher switching frequency operations.

Ähnliche Beschreibung - STR1P2UH7

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
STMicroelectronics	STD15P6F6AG	643Kb / 15P	Very low on-resistance 20-Oct-2015
	STD64N4F6AG	471Kb / 15P	Very low on-resistance 10-Jun-2015
	STH260N6F6-6	817Kb / 13P	Very low on-resistance March 2014 Rev 2
	STL6P3LLH6	578Kb / 15P	Very low on-resistance 26-Nov-2014
	STP110N8F6	557Kb / 13P	Very low on-resistance 05-Dec-2014
	STP160N3LL	393Kb / 13P	Very low on-resistance 26-Jun-2015
	STR2P3LLH6	547Kb / 12P	Very low on-resistance 03-Nov-2014
	STS9P3LLH6	602Kb / 13P	Very low on-resistance 15-Mar-2016
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Über STMicroelectronics

Stmicroelectronics ist ein multinationaler Elektronik- und Halbleiterhersteller mit Sitz in Genf, Schweiz.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten an, darunter Mikrocontroller, Sensoren, Stromverstärker und integrierte Schaltkreise für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

STMICROELECTRONICS wurde 1987 gegründet und ist in über 100 Ländern betrieben und ist eines der größten Halbleiterunternehmen der Welt.

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