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STP20NM65N Datenblatt (PDF) - STMicroelectronics
STP20NM65N Datasheet PDF - STMicroelectronics
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Bauteilbeschribung Low gate input resistance

STP20NM65N Datasheet (PDF)

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STP20NM65N Datenblatt (HTML) - STMicroelectronics


STP20NM65N Produktdetails

Description
This series of devices is designed using the second generation of MDmesh™ Technology. This revolutionary Power MOSFET associates a new vertical structure to the Company’s strip layout to yield one of the world’s lowest onresistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.

Features
■ 100% avalanche tested
■ Low input capacitance and gate charge
■ Low gate input resistance

Applications
■ Switching applications




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Über STMicroelectronics

Stmicroelectronics ist ein multinationaler Elektronik- und Halbleiterhersteller mit Sitz in Genf, Schweiz.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten an, darunter Mikrocontroller, Sensoren, Stromverstärker und integrierte Schaltkreise für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

STMICROELECTRONICS wurde 1987 gegründet und ist in über 100 Ländern betrieben und ist eines der größten Halbleiterunternehmen der Welt.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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