V20PWM12C Datenblatt(PDF) - Vishay Siliconix

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V20PWM12C Datenblatt (PDF) - Vishay Siliconix

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V20PWM12C Produktdetails

Ultra Low VF = 0.55 V at IF = 5 A

FEATURES
• Very low profile - typical height of 1.3 mm
• Trench MOS Schottky technology
• Ideal for automated placement
• Low forward voltage drop, low power losses
• High efficiency operation
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C
• AEC-Q101 qualified available
- Automotive ordering code: base P/NHM3

Ähnliche Teilenummer - V20PWM12C

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Vishay Siliconix	V20PWM12C	141Kb / 5P	High Current Density Surface-Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.55 V at IF = 5 A 17-Mar-2022

Ähnliche Beschreibung - V20PWM12C

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Vishay Siliconix	V15P45	91Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 19-Apr-11
	V10P20	82Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 15-Aug-13
	V10P45-M3	84Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 06-May-15
	V10PN50-M3	85Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 04-Dec-13
	V12P45-M3	85Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 05-May-15
	V15PM12	78Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 03-Jul-15
	V20PW10	120Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 01-Jun-17
	V20PW10C	119Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 01-Jun-17
	V6KM45DU	135Kb / 5P	High Current Density Surface-Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.38 V at IF = 1.5 A 26-Jul-2018
	V8KM60DU	135Kb / 5P	High Current Density Surface-Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.41 V at IF = 2 A 18-Jul-2018

Über Vishay Siliconix

Vishay Siliconix ist eine Tochtergesellschaft von Vishay Intertechnology, einem globalen Hersteller passiver elektronischer Komponenten.
Vishay Siliconix ist spezialisiert auf das Design, die Herstellung und Vermarktung von Energie -MOSFETs, IGBTs und anderen Power -Halbleitern.
Das Unternehmen wurde 1962 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Santa Clara, Kalifornien.
Vishay Siliconix bietet Power Solutions für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter erneuerbare Energiesysteme, Industriegeräte, Computer und Telekommunikation sowie Automobilelektronik.
Die Produkte des Unternehmens sind für hohe Effizienz, geringem Stromverbrauch und hohe Zuverlässigkeit ausgelegt und werden in hochmodernen Einrichtungen mit fortschrittlichen Herstellungsprozessen hergestellt.
Mit dem Fokus auf Innovation und Kundenzufriedenheit setzt sich Vishay Siliconix dafür ein, den Kunden die besten Stromverwaltungslösungen für ihre Bedürfnisse zu bieten.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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