TSAL7200 Datenblatt(PDF) - Vishay Siliconix

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TSAL7200 Datenblatt (PDF) - Vishay Siliconix

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TSAL7200 Produktdetails

• Package type: leaded
• Package form: T-1¾
• Dimensions (in mm): Ø 5
• Peak wavelength: λp = 940 nm
• High reliability
• High radiant power
• High radiant intensity
• Angle of half intensity: φ = ± 17°
• Low forward voltage
• Suitable for high pulse current operation
• Good spectral matching with Si photodetectors

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Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
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	TSAL7200	112Kb / 5P	High Power Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs/GaAs 29-Jun-09
	TSAL7200	114Kb / 5P	High Power Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs, MQW 04-Jul-16
	TSAL7200	115Kb / 5P	High Power Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs, MQW 04-Jul-16

Ähnliche Beschreibung - TSAL7200

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Über Vishay Siliconix

Vishay Siliconix ist eine Tochtergesellschaft von Vishay Intertechnology, einem globalen Hersteller passiver elektronischer Komponenten.
Vishay Siliconix ist spezialisiert auf das Design, die Herstellung und Vermarktung von Energie -MOSFETs, IGBTs und anderen Power -Halbleitern.
Das Unternehmen wurde 1962 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Santa Clara, Kalifornien.
Vishay Siliconix bietet Power Solutions für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter erneuerbare Energiesysteme, Industriegeräte, Computer und Telekommunikation sowie Automobilelektronik.
Die Produkte des Unternehmens sind für hohe Effizienz, geringem Stromverbrauch und hohe Zuverlässigkeit ausgelegt und werden in hochmodernen Einrichtungen mit fortschrittlichen Herstellungsprozessen hergestellt.
Mit dem Fokus auf Innovation und Kundenzufriedenheit setzt sich Vishay Siliconix dafür ein, den Kunden die besten Stromverwaltungslösungen für ihre Bedürfnisse zu bieten.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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