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TSHF5410 Datenblatt (PDF) - Vishay Siliconix
TSHF5410 Datasheet PDF - Vishay Siliconix
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Hersteller  VISHAY [Vishay Siliconix]
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Bauteilbeschribung High Speed Infrared Emitting Diode, 890 nm, GaAlAs Double Hetero

TSHF5410 Datasheet (PDF)

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TSHF5410 Datasheet PDF - Vishay Siliconix

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Bauteilbeschribung High Speed Infrared Emitting Diode, 890 nm, GaAlAs Double Hetero

TSHF5410 Datenblatt (HTML) - Vishay Siliconix


TSHF5410 Produktdetails

• Package type: leaded
• Package form: T-1¾
• Dimensions (in mm): Ø 5
• Leads with stand-off
• Peak wavelength: λp = 890 nm
• High reliability
• High radiant power
• High radiant intensity
• Angle of half intensity: ϕ = ± 22°
• Low forward voltage
• Suitable for high pulse current operation
• High modulation bandwidth: fc = 12 MHz
• Good spectral matching with Si photodetectors
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in
accordance to WEEE 2002/96/EC




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Über Vishay Siliconix

Vishay Siliconix ist eine Tochtergesellschaft von Vishay Intertechnology, einem globalen Hersteller passiver elektronischer Komponenten.
Vishay Siliconix ist spezialisiert auf das Design, die Herstellung und Vermarktung von Energie -MOSFETs, IGBTs und anderen Power -Halbleitern.
Das Unternehmen wurde 1962 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Santa Clara, Kalifornien.
Vishay Siliconix bietet Power Solutions für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter erneuerbare Energiesysteme, Industriegeräte, Computer und Telekommunikation sowie Automobilelektronik.
Die Produkte des Unternehmens sind für hohe Effizienz, geringem Stromverbrauch und hohe Zuverlässigkeit ausgelegt und werden in hochmodernen Einrichtungen mit fortschrittlichen Herstellungsprozessen hergestellt.
Mit dem Fokus auf Innovation und Kundenzufriedenheit setzt sich Vishay Siliconix dafür ein, den Kunden die besten Stromverwaltungslösungen für ihre Bedürfnisse zu bieten.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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