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2SB1431 Datenblatt (PDF) - Inchange Semiconductor Company Limited

2SB1431 Datasheet PDF - Inchange Semiconductor Company Limited
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Bauteilbeschribung isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

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Bauteilbeschribung isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

2SB1431 Datenblatt (HTML) - Inchange Semiconductor Company Limited


2SB1431 Produktdetails

DESCRIPTION
• Collector-Emitter Breakdown Voltage-
   : V(BR)CEO= -100V(Min)
• High DC Current Gain-
   : hFE= 2000(Min)@ (VCE= -2V, IC= -3A)
• Low Collector Saturation Voltage
• 100% avalanche tested
• Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
   performance and reliable operation

APPLICATIONS
• Designed for low-frequency power amplifiers and lowspeed switching applications.




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Über Inchange Semiconductor Company Limited


Die Inchange Semiconductor Company Limited ist eine chinesische Halbleiterfirma, die 1997 gegründet wurde.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten, darunter diskrete und analoge Leistungsgeräte sowie Dioden für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

Inchange ist bekannt für seine Fokussierung auf Qualität und Zuverlässigkeit, und seine Produkte werden häufig für das Energiemanagement, die Beleuchtung und andere Anwendungen verwendet.

Das Unternehmen ist in mehreren Ländern tätig und ist einer der führenden Lieferanten von Stromgeräten und Dioden in der asiatisch-pazifischen Region.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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