VSMF4710 Datenblatt(PDF) - Vishay Siliconix

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VSMF4710 Datenblatt (PDF) - Vishay Siliconix

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VSMF4710 Produktdetails

• Package type: surface mount
• Package form: PLCC-2
• Dimensions (L x W x H in mm): 3.5 x 2.8 x 1.75
• Peak wavelength: λp = 870 nm
• High reliability
• High radiant power
• High radiant intensity
• Angle of half intensity: ϕ = ± 60°
• Low forward voltage
• Suitable for high pulse current operation
• High modulation band width: fc = 24 MHz
• Good spectral matching with Si photodetectors
• Floor life: 168 h, MSL 3, acc. J-STD-020
• Lead (Pb)-free reflow soldering
• AEC-Q101 qualified

Ähnliche Teilenummer - VSMF4710

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Vishay Siliconix	VSMF4710	136Kb / 6P	High Speed Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 870 nm, GaAlAs Double Hetero 04-Sep-08
	VSMF4710	136Kb / 6P	High Speed Infrared Emitting Diode, 870 nm, GaAlAs Double Hetero 03-Nov-09
	VSMF4710	142Kb / 6P	High Speed Infrared Emitting Diode, 870 nm, GaAlAs Double Hetero 15-Jul-2020
	VSMF4710-GS08	136Kb / 6P	High Speed Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 870 nm, GaAlAs Double Hetero 04-Sep-08
	VSMF4710-GS08	142Kb / 6P	High Speed Infrared Emitting Diode, 870 nm, GaAlAs Double Hetero 15-Jul-2020

Ähnliche Beschreibung - VSMF4710

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Sharp Corporation	GL496	35Kb / 4P	High Speed Infrared Emitting Diode
Sharp Corporation	GL550	38Kb / 4P	High Speed Infrared Emitting Diode
Vishay Siliconix	VSMF9700-GS08	139Kb / 6P	High Speed Infrared Emitting Diode, 890 nm 03-Nov-09
	TSHF6410	115Kb / 5P	High Speed Infrared Emitting Diode 23-Aug-11
	TSHG5210	109Kb / 5P	High Speed Infrared Emitting Diode 23-Aug-11
	VSMF9700X01	134Kb / 6P	High Speed Infrared Emitting Diode 24-Jul-14
	VSMF4720	132Kb / 6P	High Speed Infrared Emitting Diode 25-Sep-13
	TSHG8400	106Kb / 5P	High Speed Infrared Emitting Diode 03-Sep-13
	VSMG3700	132Kb / 6P	High Speed Infrared Emitting Diode 24-Sep-13
	VSMY3850	130Kb / 6P	High Speed Infrared Emitting Diode 24-Sep-13

Über Vishay Siliconix

Vishay Siliconix ist eine Tochtergesellschaft von Vishay Intertechnology, einem globalen Hersteller passiver elektronischer Komponenten.
Vishay Siliconix ist spezialisiert auf das Design, die Herstellung und Vermarktung von Energie -MOSFETs, IGBTs und anderen Power -Halbleitern.
Das Unternehmen wurde 1962 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Santa Clara, Kalifornien.
Vishay Siliconix bietet Power Solutions für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter erneuerbare Energiesysteme, Industriegeräte, Computer und Telekommunikation sowie Automobilelektronik.
Die Produkte des Unternehmens sind für hohe Effizienz, geringem Stromverbrauch und hohe Zuverlässigkeit ausgelegt und werden in hochmodernen Einrichtungen mit fortschrittlichen Herstellungsprozessen hergestellt.
Mit dem Fokus auf Innovation und Kundenzufriedenheit setzt sich Vishay Siliconix dafür ein, den Kunden die besten Stromverwaltungslösungen für ihre Bedürfnisse zu bieten.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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