TSML1020 Datenblatt(PDF) - Vishay Siliconix

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TSML1020 Datenblatt (PDF) - Vishay Siliconix

TSML1020 Datasheet PDF - Vishay Siliconix


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Hersteller	VISHAY [Vishay Siliconix]

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High Power Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs, MQW

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Bauteilbeschribung	High Power Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs, MQW

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TSML1020 Produktdetails

• Package type: surface mount
• Package form: GW, RGW, yoke, axial
• Dimensions (L x W x H in mm): 2.5 x 2 x 2.7
• Peak wavelength: λp = 940 nm
• High radiant power
• High radiant intensity
• Angle of half intensity: ϕ = ± 12°
• Low forward voltage
• Suitable for high pulse current operation
• Good spectral matching with Si photodetectors
• Versatile terminal configurations
• Package matches with detector TEMT1000
• Floor life: 168 h, MSL 3, acc. J-STD-020

Ähnliche Teilenummer - TSML1020

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Vishay Siliconix	TSML1020	353Kb / 10P	High Power Infrared Emitting Diode, 950 nm, GaAlAs/GaAs 08-Mar-05
	TSML1020	241Kb / 9P	High Power Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 940 nm, GaAlAs/GaAs 04-Sep-08
	TSML1020	199Kb / 9P	High Power Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 940 nm, GaAlAs/GaAs 30-Jun-11
	TSML1020	365Kb / 9P	Extented Power IR Emitting Diode in SMD Package 21-May-03
	TSML1020	196Kb / 9P	High Power Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs, MQW 13-Mar-14

Ähnliche Beschreibung - TSML1020

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Vishay Siliconix	TSAL4400	114Kb / 5P	High Power Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs, MQW 03-Nov-16
	TSAL6100UL	116Kb / 5P	High Power Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs, MQW 16-Jun-16
	TSAL6200	110Kb / 5P	High Power Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs, MQW 13-Mar-14
	VSML3710	139Kb / 7P	High Power Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs, MQW 22-Oct-14
	TSAL6100	108Kb / 5P	High Power Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs, MQW 13-Mar-14
	TSML1000	196Kb / 9P	High Power Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs, MQW 13-Mar-14
	VSML3710	138Kb / 7P	High Power Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs, MQW 22-Oct-14
	VSML3710	137Kb / 7P	High Power Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs, MQW 22-Oct-14
	TSML1040	164Kb / 9P	High Power Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs, MQW 17-Dec-2021
	TSAL6200	108Kb / 5P	High Power Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs, MQW 13-Mar-14

Über Vishay Siliconix

Vishay Siliconix ist eine Tochtergesellschaft von Vishay Intertechnology, einem globalen Hersteller passiver elektronischer Komponenten.
Vishay Siliconix ist spezialisiert auf das Design, die Herstellung und Vermarktung von Energie -MOSFETs, IGBTs und anderen Power -Halbleitern.
Das Unternehmen wurde 1962 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Santa Clara, Kalifornien.
Vishay Siliconix bietet Power Solutions für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter erneuerbare Energiesysteme, Industriegeräte, Computer und Telekommunikation sowie Automobilelektronik.
Die Produkte des Unternehmens sind für hohe Effizienz, geringem Stromverbrauch und hohe Zuverlässigkeit ausgelegt und werden in hochmodernen Einrichtungen mit fortschrittlichen Herstellungsprozessen hergestellt.
Mit dem Fokus auf Innovation und Kundenzufriedenheit setzt sich Vishay Siliconix dafür ein, den Kunden die besten Stromverwaltungslösungen für ihre Bedürfnisse zu bieten.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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