4AM01MH5 datasheet(1/4 Pages) SANYO

Teilenummer	4AM01MH5

Bauteilbeschribung	High-side Switch

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Hersteller	SANYO [Sanyo Semicon Device]

Direct Link	https://www.sanyo-av.com/us/

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4AM01MH5

No.7430-1/4

No.

新

〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号

特長

・ハイサイドスイッチ。

（インバータ入力）

・25V 動作が可能。

・低電力損失。

・Pch MOSFET オープンドレイン出力。

絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃

unit

DC 電源電圧

VDD

− 0.3 ∼＋ 25

V

入力電圧

VIN

− 0.3 ∼ VDD＋ 0.3

V

出力電圧

VOUT

VDD−25∼VDD＋ 0.3

V

入力電流

IIN

±10

mA

出力電流

IOUT

75

mA

許容損失

PD

セラミック基板(600mm2×0.8mm)装着時

0.8

W

保存周囲温度

Tstg

− 55 ∼＋ 150

℃

推奨動作条件 Recommended Operating Conditions / Ta=25℃

unit

DC 電源電圧

VDD

3∼＋ 25

V

入力電圧

VIN

0∼ VDD

V

出力電圧

VOUT

VDD−25 ∼ VDD

V

入力上昇・下降時間

∆t / ∆vVDD ＜5V

≦ 100

ns / V

VDD ≧5V

20

ns / V

動作周囲温度

Topr

− 40 ∼＋ 85

℃

単体品名表示：XG

N7430

注文コード No. N7430

D2503

D2503 TS IM ◎佐藤 TA-3909

本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を

要する用途（生命維持装置、航空機のコント

ロールシステム等、多大な人的・物的損害

を及ぼす恐れのある用途）に対応する仕様に

はなっておりません。そのような場合には、

あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下

さい。

本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲

等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果

発生した機器の欠陥について、弊社は責任

を負いません。

半導体ニューズ No.N6481 とさしかえてください。

4AM01MH5

エクセレントパワーデバイス

ハイサイドスイッチ

外形図 2217

(unit : mm)

2.0

0.65

0.3

0.15

1

32

4

5

12

3

54

(Bottom view)

(Top view)

1 : NC

2 : IN

3 : GND

4 : OUT

5 : VDD

SANYO : MCPH5

真理値表

IN

OUT

H：高レベル電圧

LZ

L：低レベル電圧

HH

Z：高インピーダンス

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	BD6517F	209Kb / 6P	High Side Switch
Sanyo Semicon Device	4AM02MH5	36Kb / 4P	High-side Switch
Rohm	BD6519FJ	305Kb / 6P	High Side Switch
Linear Technology	LT1089	134Kb / 8P	High Side Switch
Siemens Semiconductor G...	BTS410E	403Kb / 12P	High-side switch
Siemens Semiconductor G...	BTS432D	149Kb / 7P	High-side switch

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